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聯華電子今(2)日宣布，推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻(RF)效能下，可將晶片尺寸縮小45%以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。
RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中為整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。
聯電技術開發處執行處長馬瑞吉(Raj Verma)表示，「我們很高興領先業界，以創新射頻前端模組的3D IC技術為客戶打造最先進的解決方案。這項突破性技術不僅解決了5G/6G智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰，更有助於在行動、物聯網和虛擬實境的裝置中，透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。未來我們將持續開發如5G毫米波晶片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻晶片的需求。」
聯電擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案，提供包括行動裝置、Wi-Fi、汽車、物聯網和衛星通訊等廣泛應用的需求。RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術，以8吋和12吋晶圓生產，目前已完成超500個產品設計定案，出貨量更高達380多億顆。除了RFSOI技術外，聯電的6吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵(GaAs)和氮化鎵(GaN)，以及射頻濾波器(RF filters)技術，可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。
關於聯華電子
聯華電子(紐約證交所代碼：UMC，台灣證交所代碼：2303)為全球半導體晶圓代工業界的領導者，提供高品質的積體電路製造服務，專注於邏輯及特殊技術，為跨越電子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的製程技術及製造解決方案包括邏輯/混合信號、嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI及BCD。聯電大部分的十二吋和八吋晶圓廠及研發中心位於台灣，另有數座晶圓廠位在亞洲其他地區。聯電現共有十二座晶圓廠，總月產能超過40萬片十二吋約當晶圓，且全部皆符合汽車業的IATF 16949品質認證。聯電總部位於台灣新竹，另在中國、美國、歐洲、日本、韓國及新加坡設有服務據點，目前全球約有20,000名員工。詳細資訊，請參閱聯華電子官網: https://www.umc.com
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