Oct 12, 2016

智原發表 PowerSlashTM 矽智財於聯電 55 奈米超低功耗製程支援物聯網應用開發

聯華電子今 (12日) 與 ASIC 設計服務暨 IP 研發銷售廠商智原科技 (Faraday Technology Corporation,TWSE:3035) 共同發表智原科技於聯電55奈米超低功耗製程 (55ULP) 的 PowerSlashTM 基礎 IP 方案。智原 PowerSlashTM 與聯電製程技術相互結合設計,為超低功耗的無線應用需求技術進行優化,滿足無線物聯網產品的電池長期壽命需求。

智原科技行銷暨投資副總于德洵表示:「物聯網應用建構過程中,效能往往受制於低功耗技術。而今透過聯電 55 奈米超低功耗技術以及智原 PowerSlashTM IP 的加速模式 (Turbo Mode) 功能,為物聯網應用環境帶來至關重要的解決方案,除了省電更提供絕佳的效能。再次,聯電和智原共同締造了成功的晶片服務技術。」

智原 PowerSlashTM IP 包含多重臨界電壓元件庫、記憶體編譯器和電源管理元件,能夠充分利用聯電 55ULP 的優勢在 0.81V 至 1.32V 廣域電壓下運作。此外,新的加速模式功能可以有效調升性能曲線,幫助 MCU 核心於達到 2 倍效能,在相同額定時脈下減少約 40% 的動態功耗。

聯電矽智財研發暨設計支援處的莫亞楠資深處長也表示:「物聯網晶片設計師對於有效的節能解決方案有高度的需求。聯電擁有晶圓代工業界中最健全的物聯網專屬 55 奈米技術平台,結合完整的矽智財方案,可以支援物聯網產品的不間斷低功耗要求。藉由智原在我們的 55ULP 平台上發表的 PowerSlashTM IP,能夠讓客戶使用完善的製程平台,協助提供物聯網產品的獨特需求。」

PowerSlashTM IP 結合智原的低功耗設計系統、系統單晶片超低功耗控制元件與 FIE3200 FPGA 平台,可以使用在低功耗積體電路的前端設計或後端開發階段。聯電的 55ULP 技術能夠支援較低的操作電壓及 sub-pA 裝置漏電,為含有鈕扣電池的產品提供理想的的晶圓製程。智原與聯電合力的超低功耗解決方案,為超低功耗積體電路設計平台帶來新的基準。

 

新聞聯絡

曹蘭馥 (Lan Fu Tsau)

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lan_fu_tsau@umc.com

 
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