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Fab 6A
潔淨度： 0.1um/Class 10
製程： 0.45um
規劃產能：50,000 wafers/month
生產晶圓： 6"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan
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Fab 8AB
潔淨度： 0.1um/Class 1
製程： 0.25um
規劃產能：70,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan
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Fab 8C
潔淨度：0.1um/Class 1
製程：0.35um - 0.15um
規劃產能：35,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan
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Fab 8D
潔淨度： 0.1um/Class 1
製程： 90nm
規劃產能： 35,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan
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Fab 8E
潔淨度： 0.1um/Class 1
製程： 0.18um
規劃產能：35,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址：Hsin-Chu, Taiwan
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Fab 8F
潔淨度： 0.1um/Class 1
製程： 0.15um
規劃產能： 40,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan
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Fab
12A (12-inch Fab)
製程：65nm
規劃產能： 40,000 wafers/month
生產晶圓： 12"
廠址： Tainan, Taiwan
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UMCJ
製程：0.15um
規劃產能：32,000 wafers/month
生產晶圓 ：8"
廠址： Japan
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Fab 12i (12-inch Fab)
製程： 90nm
生產晶圓： 12"
廠址： Singapore
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Fab 8S
潔淨度： 0.1um/Class 1
製程： 0.25-0.15um
規劃產能： 25,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan
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