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1980
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5月
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聯電正式成立
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1985
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7月
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股票公開上市
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1995
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7月
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轉型為純晶圓專工公司
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7至9月
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聯電與美、加11家IC設計公司合資成立聯誠、
聯瑞、聯嘉積體電路股份有限公司
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9月
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8吋晶圓廠開始生產
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1996
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1月
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0.35微米製程開始生產
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1997
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10月
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0.25微米製程開始生產
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1998
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4月
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取得合泰半導體(股)公司晶圓廠
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12月
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取得新日鐵半導體(民國八十八年中文名稱更名
為聯日半導體株式會社晶圓廠，民國九十年英文名稱
更名為UMC Japan)
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1999
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3月
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0.18微米製程開始生產
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11月
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南科12吋晶圓廠正式建廠
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2000
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1月
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聯電集團進行跨世紀五合一(聯電/聯誠/聯瑞/
聯嘉/合泰五合一)
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3月
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產出業界首批銅製程晶片
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5月
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產出第一顆0.13微米製程IC
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9月
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於紐約證券交易所掛牌上市
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12月
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於新加坡籌建全球最先進之12吋晶圓製造公司
(UMCi)
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2003
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1月
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聯電旗下新加坡12吋晶圓廠(UMCi)進行裝機
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3月
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產出第一顆90奈米製程IC
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2004
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3月
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聯電旗下新加坡12吋晶圓廠(UMCi)邁入量產階段
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5月
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90奈米製程完全通過驗證並邁入量產
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7月
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併購矽統半導體(股)公司
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12月
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正式收購旗下子公司UMCi，並改名為Fab
12i
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2005
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6月
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產出業界第一顆65奈米客戶晶片
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8月
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90奈米晶圓出貨量逾10萬片
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2006
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6月
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成為全球第一家全公司所有廠區均完成
QC-080000 IECQ HSPM認證之半導體製造商
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11月
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產出第一顆45奈米製程測試IC
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2007
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1月
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擴大位於台南科學園區的生產研發基地
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