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May
12, 2000
聯電領先業界推出第一顆0.13微米製程IC
所製造之2MB SRAM結合 0.10微米閘極線幅元件並採用全銅導線技術
聯電甫於美國矽谷舉辦的年度技術論壇中，宣佈已成功採用WorldlogicTM
0.13微米邏輯製程產出2MB SRAM晶片。聯電於今年第一季完成該SRAM試產投片之作業，並於本月初實際驗證，晶方良率相當令人滿意，創立業界0.13微米製程的標竿。
這個使用業界最先進製程的SRAM晶片，特色為採用全銅層技術結合0.10微米閘極線幅元件，並且是世界最小的6T
SRAM。聯電的0.13 微米製程技術可望於年底前進入試產階段。
聯電技術長劉富台博士表示："聯電在高階邏輯製程技術已經跑在同業前端。我們產出的SRAM晶方良率極高，時程幾乎整整領先大多數半導體領導廠商達一年之多。聯電顯然已創造出世界第一的技術發展團隊。"
近年來，聯電領先同業導入0.25 , 0.22,
0.18, 及0.15微米邏輯製程技術，並將持續導入更先進的技術，以協助客戶於市場上持盈保泰。
聯電全球行銷暨業務資深副總經理詹姆斯•庫貝表示："技術領先是我們提供給客戶的一項重要服務，唯有長期保持技術領先才能確保我們的客戶的競爭優勢。這是晶圓專工的本質。客戶的成功就是聯電的成功，兩者是密不可分的。"
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|曾志男 (Alex Tseng)
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