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Nov.
2, 2000
Sharp 與聯電集團旗下之聯日半導體達成策略性協議
Sharp將投資聯日半導體70億日圓以保障先進製程產能
Sharp 公司(Sharp Corporation，以下簡稱Sharp)與聯電集團旗下、日本第一家提供晶圓專工之聯日半導體株式會社(以下簡稱NFI)於今天共同宣佈：Sharp為因應行動電話及其他數位產品對快閃記憶體(flash
memory)及其他高階半導體元件急增之需求，與NFI達成提供晶圓製造之協議。根據該協議， Sharp將對NFI投資70億日圓(6千4百萬美元)以保障所需之產能。
Sharp為完善分配資源，將利用NFI提供之高階製程技術與製造效率，滿足市場對其快閃記憶體產品的需求。雙方協議初期產出量為每月6,000片8吋晶圓，預期2002年將提高至每月10,000片。該批晶圓將自2001年下半年起，於NFI位於千葉縣的館山廠區生產。
Sharp投資的70億日圓將挹注於NFI的擴廠設備，以符合Sharp對製造機台的要求。同時，NFI館山廠的產能將由目前規劃的月產34,000片晶圓提升到月產40,000片，增加的產能將配置給Sharp的半導體生產。NFI擴廠共需投入260億日圓(2億3千8百萬美元)的資金。
Sharp與NFI的結盟，象徵將來晶圓製造業界的協議將從買賣雙方單純的商業契約，轉變成長期策略夥伴的關係。Sharp與NFI合資擴充產能，將為雙方長期結盟關係奠定基礎。此外，聯電將全力支持Sharp與NFI的結盟關係，並提供其領先業界的
0.18微米(含)以下技術予Sharp。
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