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Nov.
20, 2000
聯電2001年矽梭(Silicon Shuttle®)計劃蓄勢待發
0.13微米
技術將於今年底前完成試產
提供世界級晶圓製造服務的聯華電子，今天宣佈其2001年矽梭計劃(Silicon
Shuttle)®規模將大幅超越今年計劃。聯電矽梭計劃提供客戶驗證其先進設計及產品原型的機會，有助於客戶將風險及成本降到最少。2001
年的新計畫將提供更大幅度及更多元的技術，包括多次針對混合訊號(mixed mode)、射頻互補金屬氧化半導體 (RF
CMOS)，以及無與倫比的 0.13微米TM平台的驗證。光罩的製造成本比照以前方式，由數家使用相同光罩的客戶以"購票入座
"，以降低個別客戶的成本。
至於客戶所關切的產品上市時間，矽梭計劃將以聯電領先業界的製造週期為依歸。2001年矽梭計劃的週期將向聯電
"熱批(hot lot)" 的時程看齊 (每光刻層約需一天)，6層金屬0.18微米晶圓的製造週期可降為四週以內。
聯電執行長張崇德表示，"聯電轉為晶圓專工之初，客戶即已信任我們製造的原型，現在矽梭計劃提供的測試製造同樣值得客戶信賴。聯電推出的"熱批(hot
lot)" 時程在業界是首屈一指的，是我們傾聽並回應客戶需求的另一項承諾指標，意即迅速為客戶製造出平價的原型。"
2001年矽梭計劃新選項
0.13微米的邏輯與混合訊號矽梭計劃晶圓預定於2001年製造。聯電
0.13-micron 平台被公認為業界最先進者，因其採用全銅層/低k值導線技術，於10 微微秒(picosecond)以下與電晶體切換遲滯耦合，使微處理器時脈頻率得以超過1GHz(1
Gigahertz)。此外，0.13微米數位/類比混合訊號晶圓將有大量的類比項目可供選擇，俾能真正發揮單晶系統晶片(SOC)的功能。這些選項包括聯電金屬-絕緣體-金屬電容器(Metal-Insulator-Metal
capacitor)被認可的高Q值(Q-values)、低臨限電壓電晶體和銅電感器(copper inductor)。
聯電全球行銷業務資深副總經理詹姆斯•庫貝(Jim
Kupec) 表示："0.13微米銅製程/低k值平台能帶給客戶相當多優勢，對於有意採用並從中獲利的設計業者言，矽梭計劃正是他們登堂入室的工具。矽梭計劃使0.13微米原型製造費變得平實，並使聯電的舊雨新知採用此先進製程性的可能性大大提昇。
矽梭計劃有數個選項(低電壓電晶體、MIM
電容器和電感器)適用於藍芽計劃─該計劃為連結消費類及通訊類無線週邊產品而快速興起的全球標準協定。聯電已與藍芽原始設備代工業者及IP業者合作開發RF
CMOS技術以取代目前使用的BiCMOS 技術，俾使藍芽晶片更具成本效益。客戶和 IP 業者均可利用該新技術於0.25
/ 0.18微米RF CMOS和混合訊號矽梭計劃晶圓中。到2002年，藍芽晶片的設計預期將高達數百萬單元，因此先進的無線技術設計業者儘早驗證其設計將是成敗的關鍵。
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