0.13微米製程帶領半導體晶片設計持續朝更小、更快、更高度整合的趨勢發展。IBM,Infineon
和聯電三家公司合作發展的0.13微米製程與競爭對手提供的內容不同,而是推出獨一無二、真正的低介電係數(low-k dielectric)絕緣體與最多層銅導線的組合,俾符合客戶設計高階晶片的高效能及低耗電需求。真正的低介電係數絕緣體可幫助電子訊號傳遞得更快,並可提高30%的計算速度和效能。
IBM微電子部門副總經理Bijan Davari博士表示:"0.13微米投片生產是我們重要的里程碑,是我們當初承諾共同快速開發的成果,推出時間比我們競爭對手還快。這是業界新的發展模式。我們三家公司合作發展基礎技術,則能專注於本身獨特的晶片設計與製造能力以區隔市場。
IBM,Infineon 與聯電由合作到建立共通的基準技術,為客戶所需的組件提供多重的供應來源。同時,每家公司都有權利在自己的廠內使用該項技術。
Infineon資深研發副總Franz Neppl博士表示:"該項合作發展的技術涵蓋多項特色,譬如低耗電、高速、混合訊號與射頻(RF)元件,都是Infineon下一世代通訊產品的基本要素,此外還可選擇加入高效能的嵌入式動態隨機存取記憶體(embedded
DRAM)成為下一世代的單晶片系統應用。這項協力計劃是Infineon 分散風險及極先進製程研發成本的另一個成功策略。"
IBM,Infineon與聯電正致力於加快交貨給客戶的速度,包括測試晶圓專案。例如聯電推出的矽梭(Silicon
Shuttle)計劃讓客戶分攤最新技術的光罩費用,並幫助他們將驗證0.13微米先進設計、矽智產元件(IP)、和製造原型的成本及風險降到最少。預料矽梭計畫將對0.13微米製程的導入大有助益,並使0.13微米WorldlogicSM製程成為高階IC的主要技術。
聯電資深副總經理暨技術長劉富臺博士表示:"我們明瞭相當多客戶已對這項合作發展的技術表示關切,而聯電目前正以
WorldlogicSM的標誌加以行銷推廣。聯電已完成矽梭計劃測試晶圓中五件客戶設計的tape
out。我們還有其他16 個客戶已開始進行他們的0.13微米設計,並將於明年第一季和第二季開始生產。IBM和 Infineon也有客戶傳達類似的關切,因此0.13微米WorldlogicSM製程顯然已快速被全球接受成為高階晶片製造的主要解決方案。"
IBM,Infineon與聯電的合作開發計劃是在IBM位於美國紐約州East
Fishkill的半導體研發中心(SRDC)進行。後續還有0.10 微米製程技術的進一步發展計劃。
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