日本沖電氣公司因與聯電合作生產其ASIC產品而受益

聯電今日(10日)與日本沖電氣公司(Oki Electric Industry Co., Ltd)共同宣佈推出新的ASIC產品，此產品為聯電與沖電氣公司自2002年9月4日合作之後的第一項成果。此項產品為採用聯電0.15微米先進製程並命名為MG7xK ASIC系列。

沖電氣旗下的Silicon Solutions 公司總經理Katsuhiko Sano表示：此協議對沖電氣非常重要，因為它讓我們更迅速的提供0.15微米單晶片系統(SOC)產品給客戶，且符合客戶高性能的設計需求。透過雙方不斷的共同努力，沖電氣的智財(IP)與聯電的程式庫(libraries)及製程技術已相容。我們相信此ASIC產品是我們合作關係的成果，我們的客戶也因此而大幅受益。

聯電副董事長暨執行長宣明智表示：我們與沖電氣的合作關係已有多項成果，也很高興沖電氣採用聯電0.15微米製程技術生產製造其MG7xK ASIC系列產品。聯電持續的與晶圓專工客戶發展雙方受益的長期關係；我們期望能與沖電氣共同開創更多的里程碑。

與聯電協議中，沖電氣提供所有策略性智財(IP) 加入聯電的Gold IP方案，客戶可透過聯電的Gold IP Program使用沖電氣的智財(IP)；包括ARMR及μPLAT設計平台，還有Gold IP基本產品；如高性能ADC、DAC、SERDES及高速度I/O。此合作關係可使沖電氣的客戶使用聯電已量產的認證智財(IP)並減低成本及提昇時效。MG7xK ASIC系列產品可提高每柵門(Gate)30%的速度、20%的整合及減少25%耗電率。

沖電氣的MG7xK ASIC系列產品，調校設計配合聯電製程設計規範及電晶體特徵的目標參數，
可讓沖電氣的客戶在6個月內設計發展及推出可量產的0.15微米產品，比業界的12至18個月要縮短一半的時間。此時效是因採用聯電認證的0.15微米製程技術,且縮短新技術轉移的時間。

沖電氣的MG7xK ASIC系列產品將在2003年4月推出。此合作關係將延續並使沖電氣ASIC產品系列能在一年內轉移到0.13微米製程。

沖電氣的MG7xK ASIC系列產品特質：
- Power supply voltage: 1.5V (core), 3.3V (I/O)
- Total number of metal layer: 4 layers (MG74K), 5 layers (MG75K), 6 layers (MG76K)
- Maximum number of gate: 10M gates
- Maximum number of I/O: 868 pads
- Memory: Synchronous single/dual port SRAM, ROM
- Interface: SSTL-2, 5V tolerant, USB, PCI, PLL
- IP: ARM7TDMI, AMR946E-S, ADC/DAC, USB2.0, JPEG, SSCG
- Package: QFP, TQFP, LQFP, BGA, LFBGA, LGA

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