|
||||||
|
|
|
|
|
||
 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
聯華電子與英飛凌合作成功並強化技術及製程夥伴聯盟關係 聯華電子與德商英飛凌公司今日(6日)共同宣佈：雙方採用業界最先進的製程技術，成功研發出90奈米製程複合電路晶片。此里程碑更可確定新製程將達成下半年度量產的目標。兩家公司也同時宣佈12吋晶圓共同研發案的成果，以130奈米製程技術研發專為行動通訊應用類產品的系統單晶片(SOC)設計，結合高感度類比/混合訊號電路，已成功達到高良率試產。儘管12吋晶圓的製程生產技術挑戰重重，此項聯電為英飛凌生產之晶片良率水準，均較相似產品於主流的8吋晶圓廠生產時更高或相等。 英飛凌公司營運長Dr. Andreas von Zitzewitz表示：英飛凌是業界極早以12吋晶圓大量生產DRAM，並證實其深具經濟效益的先驅；我們現正與我們的技術及製程夥伴聯電緊密合作，即將於整合類比及混合訊號功能之系統單晶片設計上達成相仿的里程碑。我們為此共同的成就感到非常高興，此創舉證明了合作無間的夥伴關係正是提昇尖端製程技術進展的關鍵動力。 聯電執行長胡國強先生表示：聯電很榮幸能與英飛凌公司合作研發出90奈米製程技術，並以0.13微米製程於12吋晶圓上生產高良率的系統單晶片產品。這再次驗證了聯電夥伴策略的成功，及我們能與重要客戶群密切合作，並加速客戶產品試產及量產成功時間表之卓越能力。聯電將秉持一貫的晶圓專工夥伴合作策略，以聯電所研發的製程技術，襄助客戶達成其所追求的目標。 繼達成技術合作開發專案的主要目標之後，聯電與英飛凌計劃以共同工程合作專案(Joint Engineering Efforts)方式針對英飛凌公司產品的需求，延續雙方的製程發展合作。 同時聯電與英飛凌公司雙方同意調整先前合資建廠的協定；將由聯電購回英飛凌公司持有的UMCi股權。UMCi係聯電、英飛凌公司與新加坡經濟發展局(Economic Development Board，以下簡稱EDB)之投資專責機構EDBI(EDB Investments Pte Ltd)，於2001年4月在新加坡所共同參與投資的公司。新加坡EDBI將維持所持有的UMCi股權。 這項進展將使聯電與英飛凌公司，雙方更專注於更廣泛的製造夥伴關係，並賦予英飛凌公司於產能使用上更多的彈性，包含使用聯電所有的晶圓廠。預計雙方的合作計劃先期將於台灣的晶圓廠展開大量生產，並將於UMCi的產能就緒時，進一步推展至UMCi。UMCi目前正依先前宣佈的設備進駐時程裝機。
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 |