聯華電子----第一家使用無鉻膜相位移光罩微影技術
量產晶圓之晶圓專工公司
專為100奈米以下矽製程量產晶圓使用無鉻膜相位移光罩

聯華電子今日(4日)宣佈：聯電為第一家使用無鉻膜相位移光罩(Chromeless Phase-shift Mask, Cr-less PSM)微影技術，成功地在90奈米製程量產客戶之功能性產品，為半導體業建立另一個新製造里程碑。由於此優異成果表現，聯電將導入無鉻膜相位移光罩技術(Cr-less PSM)及193奈米光學掃描機進行65奈米世代製程研發。

聯電資深副總暨中央研究發展部部長孫世偉博士表示：Cr-less PSM微影技術是一種解析度增強技術(Resolution enhancement technology, RET)，聯電結合Cr-less PSM微影技術及193奈米光學掃描機，使得Cr-less PSM光罩微影技術跨越了實驗階段，驗證成為可量產的技術。同時，也展現了既有的193奈米光學掃描機將可繼續被沿用在90奈米(含)以下製程的可行性。運用Cr-less PSM微影技術，可以改良微影線寬均勻度及線緣粗糙度的控制，意謂客戶之電路設計將會更正確地被複製在晶圓上。

光罩的使用就如同使用一張底片一樣，直接將電路佈局圖轉印在半導體的晶圓上。聯電使用193奈米光學微影之優異技術，透過光罩來投射單一影像至晶圓上。新的Cr-less PSM微影技術不像傳統的二元鉻膜光罩，它是利用石英的phase shifter取代鉻膜來定義圖案輪廓；此外，由於反相干涉，phase shifter的邊緣會形成暗線，當phase shifter寬度小於可解析距離時，在兩邊形成的暗線會結合成一條，就如同一條鉻膜形成的線一般。由於每層的邊緣均利用到破壞性干涉，可以得到高對比度的光線強度分布，因此也增進了微影的解析度和微距控制的結果。因PSM技術需要兩次的曝光來定義一層圖案，而每一個電路佈局圖層需要兩個光罩，將會增加量產成本並降低生產效率，而Cr-less PSM光罩微影技術比雙重曝光的PSM技術在晶圓製作上變得更有效率；聯電並開始評估在65奈米製程中，使用Cr-less PSM微影技術並結合其他解析度增強技術。