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聯華電子於南部科學工業園區台南園區投資三十億美元建立國內第一座的十二吋晶圓廠-Fab12A，現已超過2.5萬片之月產能，除在0.13微米製程良率的單一產品，領先競爭對手外，繼完成90奈米製程技術之開發並進入量產後，次世代65奈米製程已進入先期試產階段，同時與數國際著名半導體大公司緊密合作，目前進展順利可望於2006年初如期進入量產。此外，45奈米製程技術也已經開始進入研發階段。為加速先進技術於產品生產上的移轉及量產並配合客戶新產品的開發，負責聯電所有先進製程技術研發之中央研究發展部 (Central Research and Development, 簡稱 CRD)亦率先其他半導體同業於2003年即將主要研發計劃及團隊移轉至南科園區內最先進之12吋廠進行，並宣佈在此設立研究發展中心。 聯華電子除持續擴大在南部地區的投資外，更強化與地方政府及學術單位的密切交流，除積極投入台南縣市的藝文、公益活動外，更擴大與南部地區著名學府間的合作關係。聯華電子自2004年起全力投入與成功大學進行為期5年的產學合作計劃。訂於3月22日假南科12A廠區舉辦『聯華電子傑出科技人才培育計劃頒獎典禮』，南科管理局與成功大學高階主管亦將與會，共同對聯電在科技人才培養長期投注的心力表示肯定。透過積極的產學交流，有效提昇半導體技術層級並培養優質之研發人才，徹底落實聯華電子將研發重心紮根台灣的決心。從點的合作拓展到全面性的計畫，實務與學術的經驗交流、人才培育計畫到藝術人文的推廣，為企業在回饋社會、地方樹立良好的典範。 為吸引優秀人才持續投入南部科學園區並提供優質的研發工作環境，聯華電子斥資數億建造的「五星級宿舍」與佔地2.7公頃的「員工運動公園」，提供同仁高品質的居住環境及舒解身心壓力、培養健康體魄的最佳運動休閒去處，讓員工生活得更健康、更均衡、更有活力。在先進製程研發及工程人力的需求上，聯華電子南科廠區計畫在今年預估招募三百名工程師。從資金的大舉投入，到人才及智慧資本的投資，充分展現聯華電子擴大投入南科的決心，以達到『深耕台灣佈局全球』的目標。
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