聯華電子與加拿大MOSAID Technologies公司合作，為90奈米及130奈米製程發展整合DDR/DDR2 SDRAM記憶體控制器的SIP解決方案

完整的I/O設計單元資料庫與控制器解決方案，能將資料處理速率提昇至800Mb/s/pin

聯華電子與加拿大MOSAID Technologies公司今日(10日)共同宣佈，兩家公司將針對聯華電子的90奈米與130奈米製程，共同合作發展綜合的DDR（雙倍率資料讀取）/DDR2 SDRAM（同步動態隨機存取記憶體）記憶體控制器SIP（半導體矽智財）解決方案。

MOSAID公司這項為聯華電子先進製程所開發的綜合記憶體控制器解決方案，是由高效能SSTL I/O設計單元資料庫、DLL硬式SIP元件以及控制器RTL軟式SIP組成。這項解決方案可同時支援SSTL2信號的DDR SDRAM與SSTL18信號的DDR2 SDRAM。此外，此項設計也使客戶的產品能夠同時與DDR SDRAM及DDR2 SDRAM交界，而無須分為兩次製造產品。與其說MOSAID憶體控制器SIP是單一的硬式區塊，此項設計其實更接近於一個能輕易組合其他元件的設計單元資料庫。此項設計能讓客戶擁有更多的彈性去設計各種不同的記憶體介面配置與銲墊配置。MOSAID記憶體控制器能以高達800Mb/s/pin的速度，支援晶片對晶片以及晶片對模組的配置。

聯華電子智財研發及設計支援部部長劉康懋表示，“聯華電子充分認同DDR記憶體在今日半導體業的應用當中，所扮演的重要角色。MOSAID公司是提供DDR解決方案的優良IP供應商，聯華電子十分樂意能與MOSAID公司合作，將他們的記憶體控制器IP新增至聯華電子90奈米與130奈米製程的IP群中，使客戶得以運用在他們的系統單晶片設計上。”

“我們與聯華電子的合作，將會使MOSAID的記憶體控制器IP更廣泛的為聯華電子130奈米及90奈米製程客戶所使用，”MOSAID公司智財部副總裁兼總經理Peter Gillingham表示，“隨著標準DDR與DDR2 SDRAM記憶體元件的速度加快，MOSAID公司與聯華電子共同發展記憶體控制器的益處，例如降低設計成本與風險以及加速上市時程，將會變得更具說服力。

如何取得
DDR/DDR2 SDRAM記憶體控制器將以群組元件，或是單一元件，例如SSTL I/O 設計單元資料庫、DDR/DDR2 SDRAM實體層，或是記憶體RTL方式，由MOSAID公司直接授權並支援。在通過矽驗證之後，聯華電子也將在其IP目錄中登錄這項IP。MOSAID的DDR/DDR2 SDRAM記憶體控制器IP預定在今年秋天推出。

About MOSAID
MOSAID Technologies Incorporated makes memory better through the development and licensing of intellectual property and the supply of memory test and analysis systems to semiconductor manufacturers, foundries and fabless semiconductor companies around the world.

Founded in 1975, MOSAID is based in Ottawa, Ontario, Canada, with offices in Santa Clara, California; Newcastle upon Tyne, U.K; and Tokyo, Japan. For more information, visit the Company's web site at www.mosaid.com.