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聯華電子為鑫創科技生產其最新的SONOS記憶體


聯華電子今日(19日)宣佈為鑫創科技生產新的SONOS記憶體。此項新技術採用了先進的SONOS介質儲存技術,與傳統的SONOS晶胞與NAND型態的快閃記憶體相較,能夠更有效地提昇編程速度。聯華電子在SONOS薄膜研發所累積的經驗,使其研發團隊得以在首次即生產出0.18微米記憶體,稍後便成功試產了256Mb OTP/MTP記憶體產品。此記憶體產品具有生產成本上的優勢,更低的耗電,以及相同的編程/清除效能與可靠度。

聯華電子特殊技術部柯宗羲副總表示,“聯華電子多年來已為多家客戶生產了快閃記憶體產品,包括標準型快閃記憶體(commodity flash),以及嵌入式快閃記憶體/電性可擦除式唯讀記憶體(embedded flash/EEPROM)。此次為鑫創科技生產其SONOS產品的成果,再次肯定了聯華電子在快閃記憶體方面堅實的技術基礎與知識背景。”

相較於例如NAND的一般快閃記憶體技術,由於SONOS技術具有微縮晶胞尺寸,更低的操作電壓,以及簡化的可製造性等特性,近幾年來已逐漸受到注意。這些重要特性使得SONOS得以運用於許多高密度應用產品的儲存媒體上。SONOS記憶體晶胞也可以輕易的整合至一般邏輯平台。

然而,為了克服傳統SONOS技術時微縮化最困難的一環,也就是當通道長度變短時,聯華電子在可編程電流上採用了創新方法,此方法與傳統SONOS所用的熱電子方法不同,並且可降低聯華電子SONOS技術的耗電。

鑫創科技副總劉志成表示“聯華電子在快閃記憶體方面的豐富經驗,是我們決定晶圓專工夥伴時的關鍵因素。藉由整合我們的記憶體晶胞專利,與聯華電子的SONOS專業能力,再加上我們的記憶體設計團隊,這些努力與決定現已展現在我們的第一個產品上,達到了首次試產即成功的豐碩成果。隨著我們將此產品線推向量產,我們同時也將與聯華電子並肩合作,致力於在聯華電子的先進製程上,開發高容量的SONOS記憶體產品。”

雙方技術團隊也將合作開發新的SONOS記憶體晶胞,並且有效地降低製造成本。

About Solid State System Co.
Solid State System Co. founded in 1998, is a Fabless IC design house in Taiwan. With the experience and knowledge in Non-Volatile Memory, Solid State System has successfully delivered Flash Storage controllers to the world-class customers.The company is located in Jubei, Taiwan. More information can be found at http://www.3system.com.tw

   
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