聯華電子與美商新思科技為強化90奈米設計參考流程，推出了低功率與可測試性導向設計(DFT)功能

新思科技的Galaxy設計平台的多重電壓(Multi-Vdd)功能已成功通過聯華電子90奈米製程驗證

聯華電子今日(9日)與半導體設計軟體領導廠商美商新思科技(Synopsys)共同宣佈，雙方已就聯華電子90奈米製程以及新思科技的Galaxy^TM設計平台上的設計參考流程，增加了更多功能。

此一先進的低功率設計參考流程，最初於2005年11月推出，(請參見http://www.umc.com/chinese/news/20051121.asp)，現已包含可大幅減少動態功耗與漏電功耗的自動化多重電壓功能。新的可測試性導向設計(DFT)功能也加入了參考流程之內，而現有的可製造性導向設計(DFM)功能也已經過聯華電子設計單元資料庫的驗證。這些新增加的項目，將可以協助晶片設計公司降低風險，並且使這些複雜的低功率設計達到可預期的成功。

RTL-to-GDSII參考流程可協助晶片設計公司因應多重電壓的設計挑戰，例如在進行90奈米設計時尤其重要的動態功耗與漏電流等等。此設計參考流程具備電平位移器(level shifter)插入、佈局、最佳化與驗證功能，同時也具有電壓區域(voltage area, VA) 產生與VA-aware實體最佳化、時脈樹合成與繞線等功能。時序收斂參考流程包含了經過多重電壓實體驗證的訊號完整性預防，修復與認可功能。除此之外，此參考流程亦包括了全晶片的功率分析與功率網路分析，以確保設計的電源完整性。新思科技的DFT MAX 掃描壓縮(scan compression)自動化解決方案，現在也已包含在參考流程之中，以驅動更高的測試品質，並且減少測試時間。90奈米設計參考流程也具備了新思科技針對冗餘導孔(VIA)嵌入、導孔群(VIA farm)／導孔陣列規則、與時序驅動之金屬填充的可製造性導向設計技術。

為了要驗證此設計參考流程的效用，新思科技的設計顧問與聯華電子工程師共同以開放原始碼的 32位元RISC微處理器核心，設計了一個測試晶片。此測試晶片經過聯華電子設計單元資料庫的驗證，並且採用了先進的低功率參考流程，劃分為多重電壓區塊。核心是由SPARC-V8相容的32位元RISC中央處理器、工業標準AMBA系統匯流排、10/100 Ethernet MAC乙太網路控制器，與標準PCI介面所組成。此晶片對於外加的數位與／或類比／混合訊號智財模組，具有高度可配置性與可擴充性。

“聯華電子與新思科技成功的夥伴關係，使我們客戶得以採用經過驗證的90奈米設計參考流程，藉以降低風險並且加速產品上市時程。”聯華電子智財研發與設計支援部部長劉康懋表示，“我們與新思科技的持續合作，可確保Galaxy設計平台的效能與功能，可在聯華電子最先進的製程內流暢地運行。”

“新思科技與世界級晶圓專工的聯華電子緊密合作，以確保雙方客戶能夠取得針對低功耗與DFM需求所推出，且經過驗證的參考流程，”新思科技策略市場發展副總經理Rich Goldman表示。“此合作可確保新思科技Galaxy設計平台為聯華電子客戶提供一個完整可靠的RTL-to-GDSII設計流程，我們將持續與聯華電子攜手，以因應未來更深次微米製程所帶來的挑戰。”

取得方式
聯華電子與新思科技的設計參考流程可以由聯華電子網站 http://my.umc.com 取得。此設計參考流程為聯華子與新思科技所共同開發。

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