聯華電子南科新研發大樓舉行落成典禮
聯華電子慶祝27週年慶，並於台南科學園區12吋晶圓廠區舉辦新研發大樓落成典禮

聯華電子今日（22日）歡慶27週年紀念，而為研發奈米技術設立的新研發大樓也在今天舉行落成典禮。新研發大樓位於台南科學園區，緊鄰聯華電子的12吋晶圓廠Fab 12A，將成為聯華電子研發12吋晶圓先進奈米技術的重鎮。新研發大樓與聯華電子最先進的12吋晶圓廠區接壤，將能讓先進製程研發技術從研發階段開始便更順利的移轉進入量產階段，為聯華電子的客戶強化競爭力。南科研發大樓啟用後將能容納超過1,000名員工，其中大部分為研發工程師。

聯華電子董事長兼執行長胡國強博士表示，「在聯華電子歡慶27週年的同時，我們很高興能同時慶祝新研發大樓的落成，聯華電子的新研發大樓將能更進一步強化我們在先進製程技術上的領導地位。這座研發大樓是南台灣第一座奈米技術研究中心，除了能刺激當地的經濟發展之外，也會為南台灣創造許多就業機會。新研發中心的落成，以及聯華電子第二階段12吋晶圓廠的興建，充分顯示了聯華電子持續投資台灣的堅定承諾。」

聯華電子南科廠區佔地155,660平方公尺，新研發大樓則佔其中的6,000平方公尺。這座十層樓的建築除了配備有獨立的無塵室研發區域作為45奈米及以下先進製程研發之用，也為員工提供餐廳與設備完整的活動中心。

今日的落成典禮與27週年慶除了聯華電子的高級主管出席外，也邀請了許多國內外媒體、政府主管官員、客戶與供應商共襄盛舉。