聯華電子以URAM^TM嵌入式DRAM技術產出65奈米客戶晶片

純晶圓專工業界唯一自行開發擁有的嵌入式DRAM解決方案，
可賦予系統單晶片產品更高效能，更小尺寸並降低成本

聯華電子今日(4日)宣佈已產出採用URAM技術的65奈米客戶產品。URAM是聯華電子專利的嵌入式記憶體技術(eDRAM)，與傳統嵌入式6T SRAM或外部DRAM相比，URAM技術可賦予晶片更高效能，更低功耗與更小尺寸。此項技術是純晶圓專工業界唯一自行開發擁有的嵌入式DRAM解決方案，目前已用於生產聯華電子90奈米客戶產品。

聯華電子記憶體開發部門副總梁德海表示，“驅動今日數位經濟的尖端產品需要精密的技術解決方案，以滿足對更低功耗，更高效能以及更小晶片面積的嚴格要求。藉由提供比一般6T SRAM減少了高達50%面積的高密度記憶體解決方案，聯華電子的URAM技術可有效地滿足系統單晶片設計公司在廣泛應用產品上的需求，包括儲存媒體、通訊產品、繪圖與影像系統等。”

About UMC's URAM
URAM具備超高密度，僅為6T SRAM尺寸的1/4到1/5，其Macro area則約為SRAM的1/2到1/3，可使整體晶片面積變小，讓晶片設計公司能夠在更小的晶片區塊內放入更多的功能。客戶不論是採用URAM於聯華電子標準或低漏電製程上，由於I/O drivers減少，因此能夠設計出更高頻寬，使得在降低功耗的同時也能提昇操作速度。

URAM的邏輯製程相容性，可微縮溝槽單元(trench cell)架構以及與SRAM相似的介面，這些特性使得URAM技術得以完美地與客戶設計和現有矽智財做結合。由於URAM是聯華電子自行開發的自有技術，因此針對採用此技術的客戶設計，聯華電子可提供完整而強力的設計支援。如欲獲得更多訊息，請聯繫sales@umc.com.