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經濟部產業科技發展獎日前揭曉得獎名單，在傑出創新企業獎項部分，聯華電子脫穎而出獲頒了此項殊榮。頒獎典禮將於 9 月 8 日晚間假台北國際會議中心大會堂舉行。 聯華電子以創新研發上的優異成果獲得了此項榮譽。2008 年 10 月，產出業界第一個全功能 28 奈米製程 SRAM 晶片。2009 年獲選於國際電子元件會議 (IEDM) 上以高介電係數 / 金屬閘極解決方案為題進行發表。此外，針對不同市場應用產品的需求，聯華電子 28 奈米製程整合了兩種閘極技術。針對低功率製程，採用傳統的矽閘極 / 氮氧化矽閘極氧化層技術，適用於可攜式應用產品例如手機晶片等。而高介電係數閘電介質 / 金屬閘極技術則針對著重速度的產品，例如繪圖、應用處理器與高速通訊晶片等。 聯華電子先進技術開發處副總簡山傑表示表示：「對於此次獲頒傑出創新企業獎，聯華電子感到十分的榮幸。「創新」一直是我們重要的優勢之一，面對未來日新月異的半導體技術，聯華電子除了堅持本身晶圓專工技術面的獨立研發，也會藉由半導體製造技術產業聯盟 SEMATECH，和世界各地先進設備供應商、大學及研究機構共同合作 12 吋晶圓上先期技術的研究發展，尤其以 22 奈米及以下世代技術的研發為重點。聯華電子將不斷創新與精進，在台灣投入資金、人力及智慧財產，展現我們致力於先進技術研發的承諾，以落實「深耕台灣、佈局全球」的策略，善盡企業公民責任，全力建構聯華電子永續經營的版圖。」 傑出創新企業獎旨在表揚產業科技創新績效卓越之國內企業，鼓勵其積極投入創新研發、強化創新研發能力、促進產業轉型升級，建立產業科技典範。評選標準著重於企業整體研發績效，包括研究發展投入資源之質與量、研究發展之管理能力及研究發展之績效三大部分。由產、官、學、研各界之專業領域人士進行評審作業。 |
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