聯華電子與賽普拉斯半導體 (Cypress) 今日 (27日) 共同宣佈，雙方已採用新的 65 奈米 SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，矽 - 氧 - 氮化矽 - 氧 - 矽) 快閃記憶體技術，成功產出了有效矽晶片(working silicon)。聯華電子將採用此新製程為 Cypress 生產次世代 PSoC^® 可編程系統單晶片，以及 nvSRAM 和其他產品。此外，聯華電子也將在 Cypress 授權協議下，將此技術提供給其他公司使用。

此一嶄新的 S65^TM 製程，係採用 65 奈米 SONOS 嵌入式 NVM (nonvolatile memory，非揮發性記憶體) 技術，此製程現已順利與聯華電子標準 LL65 製程整合。凡是採用 LL65 製程的晶片設計，不論是現有或新的設計，現都可輕易地加入嵌入式快閃記憶體，享有快速產品上市時間，低開發成本，且幾乎不會對其他矽智財的設計產生干擾等優點。S65 製程的主要優勢包含了高耐力，低功耗，及抵抗記憶體因為宇宙射線而發生軟錯誤的錯誤率 (SER，Soft Error Rate)。相較於其他嵌入式快閃記憶體技術需要外加 7-12 層光罩，此技術僅需要在標準 CMOS 製程之外，額外加上三層光罩即可。S65 製程同時可提供客戶高良率與低測試成本。就 Cypress 產品而言，和採用現有 0.13 微米 S8^TM 製程生產相比，此一新製程預期將可減少 75% 的陣列尺寸，並且減少一半的功耗。

“我們非常高興能與晶圓專工製造業的領導者攜手，共同推動了此尖端技術的上市，” Cypress 全球製造與營運執行副總 Shahin Sharifzadeh 表示，“Cypress 十分期待於產品群內，加入採用 S65^TM 製程所生產的高效能新產品。同時也將與聯華電子並肩努力，將此技術授權給聯華電子廣大的全球客戶群使用。”

“身為以客戶需求為導向的晶圓專工廠商，聯華電子不斷致力於為客戶推出更精進的製程選擇”，聯華電子資深副總顏博文表示，“今日嵌入式 NVM 已成為諸多晶片設計的主要特性。為此，聯華電子提供了一個極富價值的技術解決方案，透過成功地整合 S65^TM 與 LL65 製程，藉此滿足客戶的需求。我們期望將採用此製程技術的 Cypress 與其他客戶產品，儘快帶入量產。”

聯華電子 S65^TM 製程預計於今年度第三季上市。

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