聯華電子今日 (30日) 宣佈，在 eEEPROM (嵌入式可電刪可編程唯讀記憶體，embedded electrically erasable programmable read-only memory) 技術研發上已有突破性進展，將推出 I/O 電壓範圍為 1.8V-5V，寫入抹除耐久性為一百萬次的解決方案。此技術為該晶圓廠多年來致力於 eEEPROM 製程開發之重要里程碑。嵌入式 EEPROM 可應用於包含銀行金融卡、智慧卡、身分識別卡以及微控制器等產品。

聯華電子 eEEPROM 之 1.8V-5V I/O 電壓範圍，在延長手持式應用產品電池壽命上，擁有優異的表現。標準的 2.5V / 3.3V 或 1.8V / 3.3V 輸入電壓，需要雙元件與電壓調整器，才能達到這些固定電壓以外的範圍。而聯華電子尖端的 eEEPROM 解決方案，則僅需單一元件，且不需要額外的電路，即可提供 1.8V-5V 可變電壓範圍。此高彈性高效率的系統單晶片製程，可同時兼具更小尺寸與更長電池壽命的兩項優勢。

而在耐久性方面，除了標準的十萬次之外，聯華電子現提供一百萬次寫入抹除循環，作為 eEEPROM 解決方案的另一選擇。藉由此一高效能技術，聯華電子客戶將可推出能大幅延長產品壽命之高可靠度嵌入式記憶體元件。

“eEEPROM 是個挑戰性十足的技術，而我們在此領域的優越表現，彰顯了聯華電子在特殊技術上對客戶的承諾，致力於提供客戶一系列創新、高效能、尺寸更小的解決方案，”聯華電子特殊技術開發處陳立哲資深處長表示。“在延長電池壽命及寫入抹除循環次數上，聯華電子很高興能有此長足進步，可協助客戶滿足現今尖端應用產品之多元化與高標準的技術需求。”

聯華電子的 eEEPROM 技術目前已於 0.35 微米與 0.25 微米製程量產，並於 0.18 微米製程試產。0.11 微米製程正在研發中，預計於明年初推出。基礎矽智財，例如 eEEPROM macros、標準元件資料庫與 SRAM，皆包含於此解決方案中，使客戶得以最佳化其微系統設計並加速設計導入。

Note From UMC Concerning Forward-Looking Statements
Some of the statements in the foregoing announcement are forward looking within the meaning of the U.S. Federal Securities laws, including statements about future outsourcing, wafer capacity, technologies, business relationships and market conditions. Investors are cautioned that actual events and results could differ materially from these statements as a result of a variety of factors, including conditions in the overall semiconductor market and economy; acceptance and demand for products from UMC; and technological and development risks.