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聯華電子與IBM達成協議,開發20奈米暨FinFET 3D電晶體製程技術

此技術授權將加速聯華電子次世代尖端技術的研發時程

 

聯華電子今日(29日)宣佈已取得IBM所授權的技術,將以FinFET 3D電晶體,促進次世代尖端20奈米CMOS製程的開發。雙方協議IBM將授權其20奈米設計套件以及FinFET技術給聯華電子,聯華電子將可運用這些技術,加快推出這些製程給客戶採用的時程。

聯華電子先進技術開發副總陳一浸博士表示,“對於這次與世界知名技術領導者IBM所進行的協議,我們感到十分高興。聯華電子身為全球晶圓專工領導者,必須掌握先機適時推出尖端製程,以協助客戶實現其次世代晶片設計。而借重IBM的專業技術來縮減我們20奈米與FinFET研發週期,將可為聯華電子與我們的客戶創造雙贏。”

聯華電子與IBM兩家公司的協議內容,包括IBM的20奈米CMOS與FinFET技術。聯華電子內部自行研發的20奈米平面(planar)製程,將與IBM的設計規則與製程/元件目標同步,未來聯華電子的FinFET技術,將針對行動運算與通訊產品,做為更強化的低耗電技術選項。此項研發將於聯華電子位於南科的研發中心進行。


 

 

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