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聯華電子和美商Kilopass攜手,進行先進製程28奈米矽智財合作

聯華電子Poly SiON和High-K/Metal Gate製程平台將提供Kilopass非揮發性記憶體矽智財

 

聯華電子與半導體邏輯非揮發性記憶體(NVM)矽智財領導廠商Kilopass今日(28日)共同宣佈,雙方已簽署技術開發協議,Kilopass非揮發性記憶體矽智財將於聯華電子兩個28奈米先進製程平台上提供,分別為:適用於生產可攜式裝置產品系統單晶片的高介電質金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消費性電子產品系統單晶片設計公司青睞的多晶矽(Poly /SiON) 28HLP製程。

聯華電子28奈米製程的晶片閘極密度為40奈米製程的兩倍。具成本效益的28HLP多晶矽(Poly/ SiON) 製程,與業界其他28奈米多晶矽(Poly /SiON) 製程相比,具備了更優異的效能及功耗上的提升。為配合系統單晶片設計公司不同的電源需求,此製程提供了多個電壓選項:1.8V,2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介電質金屬閘(High-k/Metal Gate) 製程,則提供了臨界電壓選項、記憶體儲存單元和降頻/超頻功能,有助於系統單晶片設計公司大幅提高產品整體效能和電池續航力。

聯華電子客戶工程暨矽智財研發設計支援副總簡山傑表示:「聯華電子不斷致力於先進技術開發和及時的產能導入,以充分滿足客戶的需求。為了確保我們客戶在28奈米製程上,不僅可以採用聯華電子eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的矽智財,也能獲取最佳第三方廠商之非揮發性記憶體矽智財,聯華電子十分樂意與Kilopass公司持續合作,以確保其多元化的反熔絲非揮發性記憶體(anti-fuse NVM)矽智財產品,能夠在我們28奈米製程平台上提供給客戶採用。」

Kilopass公司董事長暨執行長Charlie Cheng表示:「對於Kilopass與聯華電子進行中的策略合作,我們感到非常高興。在聯華電子28奈米先進製程平台上提供我們非揮發性記憶體(NVM) 矽智財產品,這樣的合作為兩家公司創造了雙贏。對於聯華電子來說,將可在其先進製程平台上,為客戶提供更廣泛的矽智財產品組合,對於Kilopass而言,則可將業務範圍拓展到聯華電子28奈米製程市佔率日益提升的行動設備與消費性電子系統單晶片之產品市場。」

關於雙方合作關係
Kilopass公司與聯華電子的合作關係開始於2010年的聯華電子40LP製程,現已完成推出。隨著客戶對其他製程需求的增加,兩家公司決定進一步於130/110/55nm製程平台上提供反熔絲嵌入式非揮發性記憶體(anti-fuse embedded NVM),也已在2012年完成。此次的新協議案,則將雙方夥伴關係擴展到28奈米製程平台。



 

 

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