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力旺電子與聯華電子擴大技術合作,佈建多元解決方案於28奈米先進製程

 

全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商力旺電子與世界一流的晶圓專工公司聯華電子今日(10日)共同宣布,雙方擴大技術合作,將力旺電子獨特開發之OTP (One-Time-Programmable embedded non-volatile memory ,單次可程式嵌入式非揮發性記憶體) 及MTP (Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory, 多次可程式嵌入式非揮發性記憶體) 技術廣泛佈建於聯華電子0.18微米至28奈米世代之製程平台,佈建範圍橫跨成熟與先進製程,不僅可提供客戶全方位之嵌入式非揮發性記憶體解決方案,並展現聯華電子掌握尖端製程優勢,積極擴展eNVM全方位技術版圖之決心。

聯華電子與力旺電子自2006年開始展開了長期的合作,聯華電子將力旺電子單次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術成功佈建於其0.18微米以下之製程平台,至今已創造許多佳績。力旺電子之eNVM技術應用相當廣泛,涵蓋智慧型手機與平板電腦之電源管理晶片、高階液晶顯示器驅動晶片、觸控面板控制晶片、電源計量晶片、感測器控制晶片、音訊編解碼晶片與近場無線通訊晶片等各項主流消費性電子產品領域。此次擴展合作範圍,聯華電子除擴增採用力旺電子之OTP技術,更擴大導入MTP技術領域,將能以更完整之嵌入式非揮發性記憶體製程平台,強化技術服務支援廣度,滿足更多不同客戶需求。搭配聯華電子在先進製程的佈局,亦已為力旺電子在28、40奈米之製程平台保留了絕佳的參與位置與發展舞台。

力旺電子近年來致力於全方位的可程式嵌入式非揮發性記憶體之技術開發,目前產品線包括NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash、NeoEE等系列性技術與矽智財,為業界少見能夠於OTP及MTP嵌入式非揮發性記憶體技術領域,提供全方位完整佈局之矽智財廠商。力旺電子MTP技術可適用各種不同產品應用,針對寫入次數小於10次之應用;中低容量,高寫入次數之應用;中高容量,高寫入次數之應用或多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術之應用等,力旺電子均能搭配各種應用之需求提供最適合之解決方案。且不論NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash或者是NeoEE等技術,均保有與邏輯製程高度相容之特性,製程簡單,易於延伸至各製程世代之特性,是晶圓代工廠有效快速佈建eNVM製程平台之最佳合作夥伴。

針對此技術研發與授權協議,聯華電子負責矽智財與設計支援的簡山傑副總表示:「聯華電子很高興擴展了與力旺電子自2006年以來的長期夥伴關係。聯華電子樂見力旺電子的OTP與MTP技術加入28奈米製程平台,並且進一步提供許多特殊製程選擇給我們的客戶採用。藉著為不同需求的客戶,提供更好更有競爭力的eNVM技術,我們可同時提升客戶現在與未來產品世代的系統單晶片設計之競爭實力。」

力旺電子總經理沈士傑博士表示:「我們很高興能與長期重要策略合作夥伴聯華電子加深合作關係,秉持embedded wisely, embedded widely的核心精神,將公司核心技術全方位導入聯華電子之各項製程平台,整合雙方之專業分工與研發能量,提供IC設計客戶性能卓越且品質可靠之嵌入式非揮發性記憶體平台,協助客戶持續掌握市場契機。」

展望未來,力旺電子與聯華電子的合作將能強化彼此競爭優勢,以更多元的嵌入式非揮發性記憶體技術以及高效能之製程平台,擴展各製程世代應用領域的廣度與深度,配合客戶不同產品應用與容量的設計需求,提供更完整且全方位的嵌入式非揮發性記憶體技術與生產服務,達成矽智財供應商、晶圓代工廠以及客戶三贏的目標。



 

 

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