聯華電子與 IBM 今日 (13日) 共同宣布，聯華電子將加入 IBM 技術開發聯盟，共同開發 10 奈米 CMOS 製程技術。

IBM 半導體研發副總 Gary Patton 表示：「IBM 聯盟成立至今已逾十年，聯盟夥伴可整合運用我們的專業知識，團隊研究合作與創新的技術研發，藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求。聯華電子的加入，將使聯盟的實力更加強大。」

聯華電子執行長顏博文表示：「IBM 為眾所公認的半導體技術領導者。聯華電子十分高興與 IBM 在先進製程領域攜手合作，貢獻我們多年來開發高競爭力製造技術所累積的經驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一，聯華電子肩負著適時推出尖端製程，以實現客戶次世代晶片設計的使命與承諾。我們期待與 IBM 密切合作，借重其深厚的技術專業來縮短我們 10 奈米與 FinFET 的研發週期，為聯華電子與我們的客戶締造雙贏。」

聯華電子與 IBM 兩家公司此次的協議，拓展了雙方於 2012 年簽訂之 14 奈米 FinFET 合作協議。擁有 IBM 的支援與 know-how，聯華電子將可持續提升其內部自行研發的 14 奈米 FinFET 技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優化技術。雙方計畫開發 10 奈米製程基礎技術，以滿足聯華電子客戶的需求。聯華電子將指派工程團隊加入位於美國紐約州阿爾巴尼 (Albany, New York) 的 10 奈米研發計畫，而聯華電子 14 奈米 FinFET 與 10 奈米未來的製造，則將於聯華電子位在台灣南科的研發中心進行。