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聯華電子攜手ARM® 驗證聯華電子14奈米FinFET製程

基於聯華電子14奈米FinFET製程實作之ARM Cortex® core處理器核心測試晶片正式設計定案

 

全球晶圓專工大廠聯華電子今(22)宣布,與全球 IP 矽智財授權領導廠商 ARM合作基於聯華電子14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程生產的PQV測試晶片已經設計定案(tape out),代表ARM Cortex-A系列處理器核心通過聯華電子高階晶圓製程驗證。此14奈米合作案延續自雙方成功將ARM Artisan® 實體 IP整合至聯華電子28奈米高介電金屬閘極(High K/Metal gate)量產製程。

聯華電子14奈米FinFET製程技術驗證,是聯華電子FinFET製程啟動其他IP生態系統的第一步,包括基礎IP 矽智財(foundation IP)和ARM處理器實體設計。

ARM實體IP設計事業部總經理Will Abbey表示:「ARM和聯華電子已在數個技術世代上持續合作,且成果卓越。採用聯華電子14奈米FinFET製程的Cortex-A系列核心測試晶片正式設計定案,對我們來說十分振奮。ARM與聯華電子將針對此高階製程技術的研發持續保持緊密合作。」

聯華電子負責矽智財開發與設計支援的王國雍副總表示:「在聯華電子準備向客戶提供14奈米FinFET製程之際,建立強大的設計支援基礎以強化14奈米平台的整體效益是至關重要的。ARM是先進製程的IP矽智財全球領導供應商,我們很高興能夠延續先前的成功經驗,將Artisan實體IP以及Cortex處理器解決方案納入聯華電子14奈米製程。」

聯華電子14奈米FinFET製程已經展現卓越的128mb SRAM產品良率,並預計於2015年底接受客戶設計定案(tape-out)。


聯華電子

 

新聞聯絡:
金百佳 (Judy Jin)
(02)2658 9168 ext. 16902
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