新聞中心

新 聞 室

聯華電子與新思科技擴展14奈米FinFET夥伴關係,
納入DesignWare嵌入式記憶體與測試解決方案

繼新思科技DesignWare邏輯庫與工具於聯華電子14奈米FinFET製程成功完成第一個PQV測試, 雙方持續攜手合作

 

重點摘要:
• 聯華電子與新思科技開發第二個聯電14奈米製程PQV測試,展現雙方公司持續不懈的努力,以及加速DesignnWare矽智財納入聯華電子14奈米FinFET製程的決心
• 第二個聯華電子14奈米FinFET製程PQV包含DesignWare嵌入式記憶體與DesignWare STAR記憶體系統
• 延續14奈米FinFET 製程PQV的成功, 包含了新思科技DesignWare邏輯庫矽智財以及StarRC寄生電路抽取工具(parasitic extraction tool),此次兩家公司繼續拓展合作關係

聯華電子與新思科技今(22)日共同宣布,雙方拓展合作關係,於聯華電子14奈米第二個PQV測試晶片上納入新思科技DesignWare嵌入式記憶體IP與DesignWare STAR記憶體系統測試與修復解決方案。此PQV提供了更多矽資料,可讓聯華電子進一步微調其14奈米FinFET製程,以實現最佳化的功耗,效能與位面積表現。雙方已成功設計定案了第一個聯華電子14奈米FinFET製程PQV,包含了新思科技DesignWare邏輯庫與StarRC™ 寄生電路抽取工具(parasitic extraction tool),而此次PQV則繼續拓展夥伴關係。

新思科技IP暨原型建造行銷副總裁John Koeter指出:「新思科技與聯華電子擴展的合作關係展現了雙方共同的目標,也就是協助晶片設計公司在聯華電子製程上,將我們的DesignWare矽智財結合到其系統單晶片設計上。現已有超過45顆FinFET測試晶片設計定案(tapeout),新思科技將持續傾全力致力於為FinFET製程提供高品質矽智財,使晶片設計公司能夠降低整合風險,並加速量產時程。」

聯華電子矽智財研發暨設計支援副總王國雍表示:「除了研發業界具競爭力的14奈米製程,以滿足當今最尖端晶片應用產品的需求外,聯華電子現正致力於建構相當完整的全方位支援架構,藉此加速14奈米客戶design-in的速度。繼聯華電子與新思科技於14奈米製程上成功驗證PQV後,很高興在我們最先進的製程上與新思科技優質的DesignWare矽智財繼續拓展合作。我們期待將這份夥伴關係所帶來的好處提供給雙方客戶,協助採用14奈米進行設計的客戶,能獲得功耗,效能與成本上的優勢。」

聯華電子14奈米FinFET製程已展現了卓越的128mb SRAM良率,預期於2015年底接受客戶設計定案(tape-out)。


聯華電子

 

新聞聯絡:
金百佳 (Judy Jin)
(02)2658 9168 ext. 16902
judy_jin@umc.com




   

Back to Top

A+ A-
Leadership
關於 UMC
股東專欄
企業永續
新聞中心
人力資源
Popular Links