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聯華電子TSV技術進入量產階段,驅動AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能

矽穿孔技術可將記憶體與 GPU 結合,展現尖端效能

 

聯華電子今(20)日宣布,用於AMD旗艦級繪圖卡Radeo™ R9 Fury X的聯華電子矽穿孔 (TSV) 技術,已經進入量產階段,此產品屬於AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術,在矽中介層上融合 連結 AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU,使其GPU能提供4096 位元的超強記憶體頻寬,及遠超出現今GDDR5業界標準達4倍的每瓦性能表現。

聯華電子市場行銷副總暨TSV技術委員會共同主席簡山傑表示:「AMD 致力於將頂尖GPU產品帶入市場,具有豐富的成功經驗。這次量產里程碑彰顯了我們與AMD在TSV技術上緊密合作下的成果,我們很榮幸能運用此技術的性能優勢,協助AMD強化其新一代GPU產品。展望未來,聯華電子期盼與 AMD繼續攜手,延續這份成果豐碩的夥伴關係。」

AMD資深院士(senior fellow) Bryan Black 表示:「從開始研發以至量產階段,聯華電子皆採用創新技術打造客戶產品,這是AMD選擇聯華電子合作矽中介層及相關 TSV 技術的關鍵因素。聯華電子此次順利將 TSV技術運用在AMD最新的高效能GPU上,再次證明了其堅實的專業能力。本公司很榮幸能擁有聯華電子作為我們的供應鏈夥伴,協助我們推出全新Radeon 系列產品。」

AMD提供的GPU與HBM堆疊晶粒,皆置放於聯華電子TSV製程的中介層上,透過CMOS線路重佈層(redistribution layer)與先進的微凸塊(micro-bumping)技術,這些晶片之間可於中介層彼此連通,因此得以實現AMD Radeon™ R9 Fury X絕佳的效能與位面積。AMD的TSV矽中介層技術係於聯華電子位於新加坡的12吋特殊技術晶圓廠Fab 12i製造生產。


聯華電子

 

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