聯華電子今日 (22日) 宣佈已採用 0.11微米 eFlash 製程量產觸控 IC 應用產品。此特殊技術最初於 2012 年底於聯華電子推出，是為晶圓專工業界第一個結合 12V 與純鋁後段 (BEoL) 製程，以因應次世代觸控控制器及物聯網應用產品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與 SRAM，以便用於各尺寸觸控螢幕產品的微控制器時，0.11 微米製程可提供比 0.18 微米製程更小更快的邏輯元件，並可達到更高效能。

聯華電子市場行銷處資深處長黃克勤表示：「觸控面板已是今日電子產品主流的操作介面。聯華電子觸控平台解決方案其中一項重要特點，就是我們的 0.11 微米 eFlash 解決方案，包含了可提供晶片設計公司的專有快閃記憶體 macro 設計服務。並藉由結合鋁後段製程來提供最佳成本效益，服務高度競爭的觸控 IC 市場。此外，就如本公司 0.18 微米 eFlash 製程一樣，12V 可滿足今日更大尺寸觸控螢幕，與瀏覽網頁時在觸控螢幕上懸浮觸控 (hover) 應用的高信噪比需求。」

聯華電子 0.11 微米觸控 IC 平台與現今廣泛採用的 3.3V 解決方案相比，信噪比可改善超過三倍，可驅動晶片設計公司創造新世代更先進的觸控產品。聯華電子擁有製造觸控控制器 IC 的豐富經驗，有超過 30 家生產中的觸控客戶，每月出貨量逾 4000 萬顆 IC。0.11 微米製程以 8 吋晶圓製造，並採用純鋁後段技術，使觸控晶片設計公司能夠享有更低的一次性工程費用與相關成本，以提高市場競爭力。聯華電子同時提供自行研發的快閃記憶體矽智財，協助加速產品上市時程並促進客製化，以因應當今市場趨勢。聯華電子也開發極低漏電製程 (uLL)，進一步降低元件與 SRAM 的核心電流達最高四倍。