聯華電子今 (21日) 宣布，該公司推出 40 奈米結合 Silicon Storage Technology (SST) 嵌入式 SuperFlash^® 非揮發性記憶體的製程平台。新推出的 40nm 奈米 SST 嵌入式快閃記憶，較量產的 55 奈米單元尺寸減少 20％ 以上，並使整體記憶體面積縮小了 20-30％。東芝電子元件 & 存儲產品公司已開始評估其微處理器 (MCU) 晶片於聯華電子 40 奈米 SST 技術平台的適用性。

東芝電子元件 & 存儲產品公司混合信號晶片部門副總松井俊也表示：「我們期待採用聯華電子 40 奈米 SST 技術有助於提升我們 MCU 產品的性能。與聯電合作，透過穩定的製造供應及配合我們的生產需求提供靈活的產能，亦將使我們能夠保持強勁的業務連續性計劃 (BCP)。」

已有超過 20 個客戶和產品正以聯華電子 55 奈米 SST 嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產，包含了 SIM 卡，金融交易，汽車，物聯網，MCU 及其他應用產品。

聯華電子特殊技術組織協理丁文琪表示：「自 2015 年提供 55 奈米 SST 嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來，我們一直受到客戶的高度關注，藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性，可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。我們很高興將這些產品進入大批量產，並正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到 40 奈米的技術平台，期待將 SST 的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。」

聯華電子堅實的分離式閘極記憶體單元 SST 製程，依據 JEDEC 所制定的規範標準，具100K 耐久性和在 85℃ 及工作溫度範圍為 -40℃ 至 125℃ 溫度下，數據可保存 10 年以上。除 40 奈米 SST 製程外，還有 20 多家客戶使用該公司的 55 奈米 SST 技術生產各類應用產品。