聯華電子今日 (2日) 表示，在使用 USB 2.0 測試載具首次並成功通過矽驗證之後，正式宣布更先進的 22 奈米製程技術就緒。相較於一般的 USB 2.0 PHY IP，用於驗證的 USB 測試載具所使用面積為全球最小，實際展現聯電堅實的 22 奈米製程成熟度。新的晶片設計可使用 22 奈米設計準則或遵循 28 奈米到 22 奈米的轉換流程 (Porting Methodology)，無需更改現有的 28 奈米設計架構，因此客戶可放心地使用新的晶片設計或直接從 28 奈米移轉到更先進的 22 奈米製程。

聯華電子矽智財研發暨設計支援處陳元輝處長表示：「聯電致力於提供世界領先的晶圓專工特殊技術，並持續推出新的特殊製程技術，用以服務於 5G、物聯網和車用的快速增長晶片市場。我們很高興能為客戶推出極具競爭力的 22 奈米製程技術，主要提昇性能、面積和易於設計的先進技術。」

聯華電子的 22 奈米製程與原本的 28 奈米高介電係數 / 金屬柵極製程相比，優勢在縮減 10％ 的晶粒面積、擁有更佳的功率效能比，以及強化射頻性能等特點。另外也提供了與 28 奈米製程技術相容的設計規則和相同的光罩數的 22 奈米超低功耗 (22uLP) 版本，以及 22 奈米超低洩漏 (22uLL) 版本。此 22uLP 和 22uLL 所形成的超級組合，可支援 1.0V 至 0.6V 的電壓，協助客戶在系統單晶片 (SoC) 設計中同時享有兩種技術的優勢。22 奈米製程平台擁有基礎元件 IP 支援，為市場上各種半導體應用，包括消費性電子的機上盒、數位電視、監視器、電源或漏電敏感的物聯網晶片 (附帶藍牙或 WiFi) 和需要較長電池壽命可穿戴式產品的理想選擇。

聯華電子 (紐約證券交易所代碼：UMC，台灣證券交易所代碼：2303) 為全球半導體晶圓專工業界的領導者，提供成熟和先進製程的晶圓製造服務，近年來尤其專注於特殊技術，為跨越電子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的解決方案能讓晶片設計公司利用尖端製程的優勢，包括 28 奈米 High-K / Metal Gate 後閘極技術、14 奈米量產，提供專為 AI，5G 和 IoT 應用設計的製程平台；另擁有汽車行業最高評級的 AEC-Q100 Grade-0 製造能力，可用於生產汽車中的晶片。 聯電現共有十二座晶圓廠，策略性地遍及亞洲各地，每月可生產超過 70 萬片晶圓。聯電在全球約 19,500 名員工，在台灣、中國、歐洲、日本、韓國、新加坡及美國均設有服務據點，以滿足全球客戶的需求。詳細資訊，請參閱聯華電子官網。