製程技術

28奈米

驅動價值與效能的28奈米技術

聯電28奈米製程採用嶄新的應力技術 (SMT, t-CESL, c-CESL) 與嵌入式 SiGe,以強化電子遷移率的表現,專為需要高效能與低功耗之應用產品所開發。目前已採用 28HLP SiON 與 28HPM/HPC HK/MG 製程量產多家客戶產品。聯電現正積極擴增28奈米產能,以滿足客戶對此廣受歡迎製程的高度需求。

28HLP – 採用強化的SiON技術

聯電高效能低功耗 (HLP) 製程為40奈米平順的製程移轉途徑,具備了便於設計採用,加速上市時程,以及優異的效能/成本比。針對有高速要求的客戶應用產品,此製程提供了大幅提升的效能與功耗,速度可較業界其他晶圓專工廠提供的28nm SiON製程提升10%。

28HPM/HPC - 採用高介電係數/金屬閘極堆疊技術

聯電 28HPM/HPC 技術廣泛支援各種元件選項,以提升彈性及符合效能需求,同時針對多樣的產品系列,例如應用產品處理器、手機基頻、WLAN、平板電腦、FPGA 及網通IC等。具備高介電係數/金屬閘極堆疊及豐富的元件電壓選項、記憶體位元組及降頻/超頻功能,有助於系統單晶片設計公司推出效能及電池壽命屢創新高的產品。

應用廣泛的28奈米技術

聯華電子豐富的28奈米技術平台及雙製程方法,可精準滿足市場上所有主要應用產品的需求。

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