製程技術

14奈米

領先業界的性能

聯華電子14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程技術,已成功進入客戶晶片量產階段。出貨給主要客戶的14奈米量產晶圓,良率已達先進製程的業界競爭水準,此製程將幫助客戶於電子產品開拓嶄新的應用。聯電位於台南的Fab 12A廠目前為客戶量產14奈米客戶產品,預計將依據客戶需求穩定增長14奈米產能。

聯華電子14奈米技術特點為公司自主研發的14nm FinFET技術,其特點包括鰭式模組、高介電材料/ 金屬閘極(High-k / Metal Gate)堆疊,低介電材料(low-k)隔板,應變工程(strain engineering),中端(MEOL)以及後端(BEOL)模組。該製程技術對於在同一設計中,對高性能和低功耗兼具的需求應用,是最理想的選擇。

強化性能的14奈米FinFET技術,性能亦已達先進製程的業界競爭水準,速度較28奈米增快55%,閘密度則達兩倍。此外,功耗更較28奈米減少約50%。

應用

聯華電子的14奈米技術,旨在滿足各類對最高性能和極低功耗需求的應用領域,如:
- 具人工智慧的CPU或GPU
- 高端應用處理器
- 手機基頻
- FPGA/CPLA
- Cable modem/WLAN/WiFi
- 高端消費性電子類應用,如DTV機上盒,DTV SoC,高頻通信中的射頻收發器,5G的極高頻(mmWave),以及汽車應用中的極高頻雷達(mmWave Radar) /先進駕駛輔助系統(ADAS)和信息娛樂處理器。

設計支援功能

提供廣泛的設計支援資源,幫助客戶簡化其在聯華電子14奈米技術的設計過程,包括經驗證的Cadence和Synopsys設計工具,晶圓專工設計套件(FDK)和立即可用的命令文件。我們還在開發知識產權和參考設計流程,以進一步加強我們的14奈米設計支援組合。



UMC 14nm FinFET Cross-Section: multi work function (WF) schemes support a wide range of Vt offerings.


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