系統架構知識
    IP與設計規則
    系統單晶片製程技術
    研發成果與計劃
    90 奈 米
    0.13 微 米
    0.15 微 米
    0.18 微 米
    0.25 微 米
    0.35 微 米
    Mixed Mode/
RFCMOS
    CMOS Image
Sensor
    高 壓 製 程
    設 計 規 則
    世界級製造能力
    測試與封裝解決方案
    設計支援手冊
 
   
 

L180


聯電的0.18微米製程技術是針對今日眾多的先進應用產品所研發,而以生產量來說,聯電穩居世界晶圓專工0.18微米製程領導者的地位。我們為今日的系統單晶片設計公司提供一個完整的解決方案,包括矽驗證IP,免費的設計單元資料庫,以及SRAM編譯程式。在2000年,聯電以領先業界的缺陷密度與生產週期時間,高居0.18微米製程晶圓生產和出貨量的龍頭。此製程中上兩層金屬層為銅導線。我們過去的輝煌成績,以及像0.18微米製程的先進技術,即是我們客戶能獲得更好價值,更高品質及更快上市時程的保證。

-我們提供經過驗證的ARM核心,以每一特別單一使用的晶圓專工為基礎
-程式庫提供最高到每平方公厘100,000個的邏輯閘極
-針對不同的市場區隔,目前已進入量產

Printer-Friendly Format (pdf, 7.45kb)
0.18 Brochure (pdf)