製程技術 - 聯華電子

eNVM

Introduction
Device Offering

現今的消費性電子產品正面臨多樣少量的產品設計需求及挑戰，而嵌入式非揮發性記憶體的技術剛好可以滿足這類市場的產品需求。因為相同的產品硬體設計，可以藉由不同版本的韌體更新，進而被應用於不同終端市場的產品。對於高度需求反覆讀寫能力 (Endurance) 的產品應用，例如 smartcard，SIM卡或微處理器等，eE²PROM 或 eFlash 會是最理想的技術選擇。然而，對於中低度反覆讀寫能力需求或中低密度記憶體容量的產品應用 (例如電源管理 IC)，則可以採用 eMTP 技術。最後，對於那些只需要一次性程式編寫應用的產品應用，則可以使用 eOTP 或 eFuse 的嵌入式非揮發性記憶體技術。

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全面且完整的嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案

針對嵌入式非揮發性記憶體的更高容量密度，更密集邏輯電路設計和 IP 更高性能的高規格要求，聯華電子提供了全面且完整的嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案，包含從 8 英吋的 0.35 um到 12 英吋 28 / 22nm的技術。所有這些嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案，都是架構在一般邏輯電路製程技術解決方案上，可以為客戶的SoC產品電路設計提供可靠並相容的嵌入式非揮發性記憶體IP。藉由聯華電子的嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案，客戶可以容易並直接地採用 standard cell library 和 standard IO library，以最大程度地幫助客戶，減少客戶的設計工作量。
以下是聯華電子 12 英吋嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案列表。

Vt options

Platform offering	55uLP SST	40uLP SST	40uLP SONOS	28HPC+ SST
Core Vcc (V)	0.9 / 1.2	0.9 / 1.1	0.9 / 1.1	0.9
eLVT	-	V	V	-
uLVT	-	-	V	V
LVT	V	V	V	V
RVT	V	V	V	-
SVT	-	-	-	V
HVT	V	V	V	V
uHVT	V	-	-	V
eHVT	-	V	V	V

1.8V IO

Platform offering	55uLP SST	40uLP SST	40uLP SONOS	28HPC+ SST
Core Vcc (V)	0.9 / 1.2	0.9 / 1.1	0.9 / 1.1	0.9
1.8V	-	-	-	V
1.8 UD 1.5V	-	-	-	V
1.8 UD 1.2V	-	-	-	V

2.5V IO

Platform offering	55uLP SST	40uLP SST	40uLP SONOS	28HPC+ SST
Core Vcc (V)	0.9/1.2	0.9/1.1	0.9/1.1	0.9
2.5V	V	V	V	V
2.5 UD 1.8V	V	V	V	V
2.5 OD 3.3V	V	V	V	V

SRAM

Platform offering	55uLP SST	40uLP SST	40uLP SONOS	28HPC+ SST
Core Vcc (V)	0.9 / 1.2	0.9 / 1.1	0.9 / 1.1	0.9
6T	0.425 um² 0.525 um²	0.242 um²	0.242 um²	0.127 um² 0.155 um²
8T	0.789 um²	0.477 um²	0.477 um²	0.240 um² 0.315 um²

eFlash

Platform offering	55uLP SST	40uLP SST	40uLP SONOS	28HPC+ SST
Core Vcc (V)	0.9 / 1.2	0.9 / 1.1	0.9 / 1.1	0.9
SST / ESF3	V	V	-	-
SST / ESF4	-	-	-	V
SONOS	-	-	V	-

Mixed Signal Devices

Platform offering	55uLP SST	40uLP SST	40uLP SONOS	28HPC+ SST
Core Vcc (V)	0.9 / 1.2	0.9 / 1.1	0.9 / 1.1	0.9
Native Vt	V	V	V	V
Bipolar	V	V	V	V
Diodes	V	V	V	V
5V LDMOS	V		V
NCAP	V	V	V	V
PCAP				V
MOMCAP	V	V	V	V
Resisters	V	V	V	V
Inductors	V	V	V	V

Featured Resources

eNVM_Brochure