|
90奈米－晶圓專工高性能技術的標準
自從2003年3月起，聯電便開始以90奈米（0.09微米）邏輯製程技術產出客戶的產品，聯電因而成為第一個宣佈使用業界最先進的製程技術成功產出客戶IC晶片的晶圓專工公司。這項成就是聯電工程團隊和客戶緊密合作的結果，也證明了聯電有提供業界最尖端製程技術的能力。目前我們多項的90奈米製程產品已經通過驗證並且進入量產。此外，聯電也是唯一一家在90奈米製程上同時提供低介電值阻絕層（low-k）或氟矽玻璃介電質（FSG）的晶圓專工公司，讓客戶有更多的彈性選擇最適合他們特殊產品應用的介電質材質。
聯電90奈米製程技術的關鍵特徵
- 193nm Lithography
- Retrograde Twin Well (Triple Well Option)
- Multiple Vt Option for optimized SOC Application
- Dual Nitridized Gate Dielectric (Triple Oxide
Option)
- Dual Poly Gate with CoSi2
- Up to nine Cu Metal/Via Layers with Low-k
or FSG options in the thin metal layers
- Wire Bond/Flip Chip
- 1.16/0.99um2 SRAM Bit Cell
- Same Process for Logic & Mixed Mode
(for SOC Applications)
聯電在0.13微米世代製程的豐富經驗使得技術過渡到90奈米製程生產的過程相當平順。許多在0.13微米製程世代第一次使用的材質與技術也使90奈米製程受惠良多，像是銅導線和低介電值材質。透過整合9層銅導線，三閘級氧化層以及其他的先進技術特點，聯電的90奈米製程技術成功推動製程技術的進化。聯電在90奈米製程技術上的進展，對於要求產品具有最佳性能，密度和電源消耗的公司來說，是為一大福音。
|
