系統架構知識
    IP與設計規則
    系統單晶片製程技術
    研發成果與計劃
    90 奈 米
    0.13 微 米
    0.15 微 米
    0.18 微 米
    0.25 微 米
    0.35 微 米
    Mixed Mode/
RFCMOS
    CMOS Image
Sensor
    高 壓 製 程
    設 計 規 則
    世界級製造能力
    測試與封裝解決方案
    設計支援手冊
 
   
 

製程技術


不同的高科技應用產品需要不同的技術。聯電提供適切的技術與製程元件選擇,包括從極高速到極高密度,以符合不同應用產品的需要。

聯電提供的全方位邏輯與混合信號製程橫跨90奈米到0.6微米特殊製程。聯電的客戶可以選擇不同的製程節點,電壓選擇,以及混合信號/射頻互補金屬氧化半導體,以構成一個滿足他們系統單晶片設計需要的客製化平台。

*本表只代表聯電提供的部分製程技術。
請向您的業務代表洽詢其他製程技術。