系統架構知識
    IP與設計規則
    系統單晶片製程技術
    研發成果與計劃
    90 奈 米
    0.13 微 米
    0.15 微 米
    0.18 微 米
    0.25 微 米
    0.35 微 米
    Mixed Mode/
RFCMOS
    CMOS Image
Sensor
    高 壓 製 程
    設 計 規 則
    世界級製造能力
    測試與封裝解決方案
    設計支援手冊
 
   
 

混合信號/射頻互補金屬氧化半導體


諸如無線區域網路,藍芽技術,第三代行動通訊,十億位元乙太網路,以及可攜式通訊產品等應用產品等等,加速業界對於先進混合信號(Mixed Signal)/射頻互補金屬氧化半導體(RFCMOS)製程的需求。聯電提供結合混合信號/射頻元件的邏輯技術平台-一個針對系統單晶片設計的高性能,低成本的解決方案。除了提供一般常見的技術平台之外,聯電同時也提供支援混合信號/射頻設計的設計環境,以滿足我們客戶對於上市時程的需求。這個設計環境包括了混合信號/射頻晶圓專工設計套件,正確的模型與參數化設計單元(P cell),自動化電路驅動佈局(schematic driven layout)設計環境,模擬,以及驗證流程。若需更多的資訊,請與當地的業務代表聯絡。

Printer-Friendly Format (pdf, 8.83kb)


邏輯技術

-Retrograde Twin Well
-Shallow Trench Isolation(STI)
─Co salicide for Gates & S/D
─W plug for contact
─CMP IMD with Low-k or FSG
-Cu or Al metal via