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Kilopassと聯華電子(UMC)、先端28nm IPで提携

Kilopass、不揮発性メモリIPを聯華電子(UMC)ポリシリコンおよびHigh-K/メタルゲートプロセスに移植

 

2013年5月28日(米国/カリフォルニア州サンタ・クララおよび台湾/新竹)–半導体ロジック不揮発性メモリ (NVM)特許(IP)におけるトッププロバイダーのKilopass Technology Inc.とグローバルなトップ半導体ファウンドリである United Microelectronics Corporation (聯華電子(UMC)) (NYSE:UMC; TWSE: 2303)は本日、技術開発における契約締結を共同で発表しました。本提携により、Kilopassはその不揮発性メモリ (NVM)技術(IP)を、聯華電子(UMC)が持つ、携帯用SoCメーカーからの需要が高いHigh-K/メタルゲート28HPMと、コンシューマー向けSoC 設計者から人気の高いポリゲート28HLPの、2種類の先端28nmプロセスに移植します。

聯華電子(UMC)の28nmプロセスは、40nm比で2倍のゲート密度を達成します。このコストパーフォーマンスの高い28HLPポリシリコンプロセスは、他社の提供する28nm ポリシリコンプロセスと比較して、性能および電力消費において大きな改善を実現しています。本プロセスは、異なったデバイス電圧に対するSoC設計者のニーズに応えるため、複数(1.8v、2.5V、2.5/ 3.3V)のデバイス電圧オプションを提供します。28HPM High-k/メタルゲートプロセスは、SoC設計者がデバイスパーフォーマンスおよびバッテリーライフの両方を大幅に改善できるよう、デバイス電圧、メモリビットセルおよびアンダードライブ/オーバードライブに対する幅広いオプションを提供します。

「当社は、お客様のニーズにお応えするために、先端プロセスの開発とタイムリーなキャパシティー増強にに力を注いでおります。」聯華電子(UMC)のカスタマエンジニアリングおよびIP開発/設計サポート部門Vice PresidentのS.C. Chienは次のように述べています。「当社のお客様が聯華電子(UMC)の持つ28nmプロセスで、eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP、eFuseのみならず、28nmノードで最高のテクノロジーを持つサードパーティーであるKilopassが持つ、幅広いアンチフューズNVM IPを活用して頂けるよう、Kilopassとの提携関係を継続していきたく思っております。」

「当社は、聯華電子(UMC)との戦略イニシアティブの進展を心から喜んでおります。」Kilopass Technology Inc.の取締役社長兼CEOのCharlie Cheng氏は次のように述べています。「聯華電子(UMC)の主要プロセスである28nmノードで当社NVM IPが使用出来るようになることは、両社にとって大きなメリットをもたらします。これにより、聯華電子(UMC)が先進プロセスノードにおいて、幅広いIPポートフォリオを顧客に提供することが可能になります。聯華電子(UMC)の28nmプロセスが市場のシェアを握ることにより、拡張を続けるモバイルデバイスSoCおよびコンシューマーエレクトロニクス向けSoCにおいて、Kilopassのビジネスチャンスが広がるのです。」

提携について
Kilopass-聯華電子(UMC)間の提携は2010年、聯華電子(UMC)の40LPプロセス(現在リリース中)でスタートされました。他の技術ノードへの顧客ニーズに応えるため、両社はアンチヒューズ内蔵NVMを130/110/55nmプロセスでも提供することを決定し、2012年に実現しました。今回の提携により、両者の提携関係は28nmプロセスノードへと広がることになります。


編集担当者連絡先

   

Kilopass
Nanette Collins
PR for Kilopass Technology
(617) 437-1822
nanette@nvc.com


Jonah McLeod
Kilopass Technology
(408) 980-8808 x130
j.mcleod@kilopass.com

聯華電子(UMC)
Richard Yu
(886) 2-2658-9168 内線 16951
richard_yu@umc.com

   

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