プレスルーム

新着情報

UMC、シノプシスと共同提携で14nm FinFETプロセスの開発を加速

プロセス検証を済む設計において、UMCの14nm FinFETプロセスがシノプシス社DesignWare IPおよびStarRC寄生情報抽出ツールを用いて検証

 

2013年6月26日 (カリフォルニア州マウンテンビュー、台湾 新竹) –
概要

  • UMCの14nm FinFETプロセスにおいてIPと設計の相関関係の検証を加速する初の共同マイルストン
  • プロセス検証ツールでは、主要プロセスとIPテスト体系を検証する
  • このテープアウトは、UMCのFinFETプロセスの採用を加速してより高速で出力効率の高いシステムオンチップ (SoC) にする手助けをする™

チップと電子システムの革新を加速するため、ソフトウェア、IP、およびサービスを提供してる世界大手のシノプシス社 (Synopsys;Nasdaq:SNPS) と、大手グローバル半導体ファウンドリであるUnited Microelectronics Corporation (NYSE:UMC;TWSE: 2303) (以下「UMC」) は今日、両社の共同提携の結果Galaxy™インプリメンテーションプラットフォームの一部であるシノプシス社DesignWareM®ロジックライブラリーIPポートフォリオおよびStarRC?寄生抽出ソリューションを利用して、UMCの14ナノメートル (nm) FinFETプロセスにおいて初のプロセス検証を済んた設計の成功を発表しました。

性能、出力、チップ内のばらつき及び平面CMOSプロセスより低い保持電圧のため、FinFETプロセスは設計者から大きな関心を寄せられています。このプロセス検証を済んた設計は初期のシリコンデータを提供しています。これにより、UMCは14nm FinFETプロセスの微調整が可能になり、シノプシス社はDesignWare IPポートフォリオを洗練し、出力、性能及びチップ面積を最適になります。また、このプロセス検証はFinFETシミュレーションモデルとシリコンの結果とのより良い相関関係を可能にするデータも提供します。DesignWare IPソリューションを用いてUMCの14nm FinFETプロセスを検証することは継続しているコラボレーションに最初のマイルストンであります。

「このプロセス検証を済んた設計の成功は、UMCにとって重要ないマイルストンです」と、UMCコーポレートマーケティング部門担当副社長Arthur Kuoは述べています。「当社の目標は、お客様の製品を最先端に維持できるようにする競争力の高いFinFETテクノロジーソリューションをお客様に提供することです。当社は、シノプシス社のFinFETの経験と専門知識及び最先端プロセスにおける高品質なDesignWare IPの開発実績を基に、この重要なコラボレーションにパートナーを選択しました。このコラボレーションは、設計会社に出力、性能及びコストの大きなメリットを生み出します。」

「シノプシスはFinFETテクノロジー向けIPおよびツールの開発において市場をリードし続けています」と、シノプシス社IPおよびシステムマーケティング部門担当副社長John Koeter氏は述べています。「UMC社との技術提携は、設計者が統合リスクを低下させ、大量生産の時間を短縮する実績のあるIPとツールを提供するという相互コミットメントをさらに実証しています。」

編集担当者連絡先

   

聯華電子(UMC)
Richard Yu
(886) 2-2658-9168 内線 16951
richard_yu@umc.com

Synopsys Press Contact
Monica Marmie
650-584-2890
16951monical@synopsys.com

 

 

MCA Investor Relations Contact:
Stephen Brennan
650-968-8900, ext 114
sbrennan@mcapr.com


Back to Top

A+ A-
Leadership
企業情報
投資家情報
社会的な責任
プレスルーム
採用情報
Popular Links