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UMC55nm eFlash プラットフォームを ファラデーのシリコン検証済みIPで拡張

HVTコアデバイスを備えたファラデーのIPは電力を最大65%削減 消費電力を重視する市場での用途を目指す

 

新竹市(台湾)、2015年3月12日―ASIC/SoC及びIPのファブレスプロバイダー大手、ファラデーテクノロジー社(TAIEX: 3035)と、世界屈指の半導体ファウンドリーUnited Microelectronics Corporation(UMC)(NYSE: UMC, TWSE: 2303)は本日、UMCの55nm Low Power(LP)組込型フラッシュプロセス向けに開発された低電力の基本IPが、完全に利用可能となったことを発表しました。これらのIPはIoT(モノのインターネット)やウェアラブル製品など幅広い用途の需要を十分に満たし、低電力かつ高密度の要件に同時に応える設計が施されています。

低消費電力は、常時接続されたデバイスのバッテリー寿命を延長する際、特に重視される要素です。この要件を満たすため、ファラデーのメモリコンパイラは低リークメモリ周辺を最適化することにより、スタンバイモードの消費電力を最大70%と大幅に削減。堅牢なI/Oセルはデジタル及びアナログの両インターフェイスで利用可能であり、高電圧のI/Oセルオプションは、とりわけ5.0Vのインターフェイスとの互換性を備えています。これらのIOセルは、電力のリークを減らすようHVTコアデバイスを使用して設計されています。さらに、このIPパッケージにはHVTコアデバイスを備えた低電力のUSB 2.0 OTG PHYも含まれ、これにより、アイドルモードの消費電力を従来のUSB 2.0 OTG PHYと比較し最大65%削減します。

ファラデーテクノロジー社のマーケティング・広報担当アソシエイトバイスプレジデントJensen Yen氏は次のように述べています。「ファラデーはUMCと密接に連携し、省エネ重視の用途向けの堅牢なプラットフォームソリューションを0.18umから0.11umまで構築してきましたが、いよいよ55nm eFlashにも拡張します。当社が誇るIPノウハウとUMCのプロセスに対する深い知識を応用することで、消費電力を大幅に低減し、拡大するIoT市場の要求を満たす、UMCのHVTコアデバイスを備えた新しいIPが実現しました。この重要なマイルストーンと、当社とUMCの継続的提携により、両社の顧客はIoT市場で新たなビジネスチャンスをつかむことができると私たちは確信しています」。

UMCのIP開発&設計サポート部門シニアディレクターShih Chin Lin氏は次のように述べています。「UMCは自社の強固なIPポートフォリオを引き続き拡大し、IoTチップ設計者に低電力のメリットをこれまで以上に提供します。当社の55nmLP SST組込型フラッシュ技術は、強固なIPと設計リソースに支えられた、幅広く受け入れられている大量生産プロセスです。この度ファラデーのIPを当社の55nmプラットフォームリソースの一部に追加し、顧客に省エネ用途のビジネス機会を提供できることを非常に嬉しく思います。今後も、将来のIPソリューションにおける連携に期待しています」。

55nm LP SST組込型フラッシュプロセスに追加されるファラデーのIPには、標準セルライブラリ、メモリコンパイラ、拡散プログラマブルROM、Via ROM、I/Oセル、低電力USB 2.0 OTG PHYが含まれています。3シリーズのセルライブラリ、7トラックminiLib™、8トラック汎用ライブラリ、12トラックUHS-Lib™はすべて、PSKセルの低電力管理機能とmulti-Vtのオプションを備えています。


編集担当者連絡先

 

聯華電子(UMC)
Richard Yu
(886) 2-2658-9168 内線 16951
richard_yu@umc.com

 

   

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