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シノプシス および UMC が、DesignWare 組み込みメモリと
テストソリューションの追加に向け

14-nm FinFET での協力体制を拡大

シノプシス のDesignWare ロジックライブラリおよび UMC 初の14-nm FinFET プロセス・クオリフィケーション・ライブラリ・ビークルのツールでの 成功を継承。

 

カリフォルニア州マウンテンビューおよび台湾、新竹市2015年6月22日―
概要
• UMCおよび シノプシス はUMC 14-nm プロセス・クオリフィケーション・ビークル(PQV)の第2弾を開発し、両社がUMCの 14-nm FinFET プロセスでのDesignWare IP の導入を加速するため引き続き投資する意思を表明。
• UMC 14-nm FinFET PQV第2弾には、DesignWare 組み込みメモリおよび DesignWare STAR メモリシステムを搭載。
• シノプシス DesignWare ロジックメモリ IP を含む14-nm FinFET PQVのシリコン検証とStarRC 寄生抽出ツールのを活用した製造の成功を受け、協力体制を拡大。

シノプシス, Inc. (Nasdaq:SNPS) および United Microelectronics Corporation (NYSE:UMC;TWSE: 2303) (「UMC」) は、本日UMCの14ナノメーター (nm) FinFET プロセス・クオリフィケーション・ビークル(PQV)第2弾にシノプシスのDesignWare® 組み込みメモリ IP および DesignWare STAR メモリシステム® のテスト&リペアソリューションを追加し、さらなる協力体制の拡大を行うと発表しました。このPQV を検証することにより、さらなるシリコンデータが提供され、 UMCは電力、パフォーマンス、エリアの最適化が可能な14-nm FinFET プロセスチューニングを提供することが可能となります。このPQV は第1弾テープアウトの成功と、シノプシスの DesignWare ロジックライブラリ を含むStarRC™ 寄生抽出ツールを活用に基づくものです。

「当社とUMCとの協力体制の拡大は、DesignWare IPを UMCプロセスを使ったSoCs へインテグレートしたいという設計者のお役に立ちたいという、我々の共通の目標を示すものです。」とシノプシスのIPおよびプロトタイピングのマーケティング部門副社長であるJohn Koeterは述べています。 「45以上のFinFETテストチップのテープアウトと共に、シノプシス は引き続きFinFETプロセス用の高品質IPを提供する際に巨額の投資を行い、設計者のインテグレーションリスクを低減し、量産のための時間を加速することができます。」

「UMC は競争力のある最先端ICアプリケーション用14ナノメーター・プロセスの開発に加え、14ナノメーターの顧客を対象としたデザインインプロセスを加速化するために、非常に包括的なサポート構造を形成しています。」と、UMCの IP および設計サポート部門の副社長、Steve Wangは述べています。「先の14ナノメーターのプロセス・クオリフィケーション・ビークルでのシノプシスとの成功に続き、シノプシスの高品質 DesignWare IPを当社の最も進化したノードにもたらすために協業することにより、互いの顧客が更なる電力、パフォーマンス、コスト面でのメリットを実現できるようになるでしょう。」

市場投入時期
UMCの 14-nm FinFET プロセスは、既に良好なな128Mb SRAM 歩留まりを実現しており、2015年後期までには顧客テープアウトの準備が完了すると予測されています。


編集担当者連絡先

 

聯華電子(UMC)
Richard Yu
(886) 2-2658-9168 内線 16951
richard_yu@umc.com

 

   

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