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UMCAMD のハイパーフォーマンスRadeon R9 Fury X GPU を実現するTSV プロセスの量産を開始

Si貫通電極技術がメモリ と GPUの融合による最先端パーフォーマンスを可能に

 

本日、UMCは、最近AMDによりリリースされたRadeon™ R 300 Series グラフィックス・カードの主要GPUであるAMD Radeon™ R9 Fury Xに用いられるSi貫通電極(TSV)の量産を開始したことを発表しました。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU はHBM DRAM とAMDの GPU を融合させるため、UMCの TSV プロセス技術と3次元実装技術が活用されています。これにより、GPU は4096ビットという比類のないメモリ帯域幅を提供し、現在の業界標準であるGDDR5に対し1ワット当たり4倍のパーフォーマンスを実現します。

「AMD には最先端のGPUを市場に提供してきた輝かしい歴史があります。」とUMCのコーポレート・マーケティング部門副社長であり、TSV委員会副委員長であるS.C. Chien氏は述べています。「量産の開始は、UMCとAMDが行ってきたTSV共同開発において記念すべきマイルストーンです。当社では新世代のGPUをより強力なものにするこの技術のメリットを提供できることを嬉しく思います。この先もAMDとの実りある提携を継続していくことを楽しみにしています。」

AMDの上級研究員であるBryan Blackは次のように述べています。「研究開発段階から量産に至るまで、革新的な技術をもたらしてきたUMCとの長期にわたる実績は、当社がインターポーザおよび関連するTSV 技術のパートナーとして同社を選択する上で、一番重要な要素となりました。UMCは、当社の最新の高性能GPUとTSVを融合させることが可能であることを再度証明してくれました。当社の素晴らしい新製品であるRadeon製品で、このように貴重なサプライチェーン・パートナーを持てたことを嬉しく思います。」

AMDのGPUとHBM のスタックドダイは、TSVプロセスを使用するUMCのインターポーザの表面に実装されます。これらのICはCMOS再配線層と新型マイクロバンプによりインターポーザ上で相互に通信を行うため、AMDの Radeon™ R9 Fury Xの最先端のパフォーマンスと最少のフォームファクターが可能となります。TSV搭載のAMDシリコンインターポーザは、シンガポールにあるUMCのスペシャリティー300mm製造工場・Fab 12i で製造されています。


編集担当者連絡先

 

聯華電子(UMC)
Richard Yu
(886) 2-2658-9168 内線 16951
richard_yu@umc.com

 

   

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