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UMC 와 수볼타, 28nm 저전력 공정 기술 공동 개발 발표

모바일 애플리케이션 용으로UMC 의28nm High-K/Metal Gate 공정에 수볼타의 DDC 기술을 적용시킴

 

UMC 와 수볼타는 수볼타의 DDC (Deeply Depleted Channel™ - 트랜지스터 기술을 UMC 의 28nm High-K 메탈 게이트 (HKMG) 고성능 모바일 (HPM) 공정에 적용 시키는 공동 기술 개발을 시작 했다고 오늘 발표 했다. 수볼타와 UMC는 DDC 트랜지스터 기술의 장점을 이용해 누설 전력을 줄이고 SRAM 저전압 동작 성능을 개선 시키기 위해 공동으로 작업하고 있다.

성능, 전력, 다이 간(Intra-die)의 변동성, 그리고 평면 CMOS 공정에 걸쳐 더 낮은 유지 전압으로 인해 FinFET 공정은 설계자들의 상당한 관심을 받고 있습니다. 이 공정 검증 차량은 초기 실리콘 데이터를 제공하므로 UMC는 자사의 14nm FinFET 공정을 조정하고 Synopsys는 DesignWare IP 포트폴리오를 최적의 전력, 성능 및 영역으로 개선할 수 있습니다. 또한 FinFET 시뮬레이션 모델과 실리콘 결과가 더 나은 상관관계를 가질 수 있도록 데이터를 제공합니다. 이는 DesignWare IP 솔루션을 사용한 UMC의 14nm FinFET 공정 검증을 위한 양사의 지속적인 공동 작업의 첫 이정표입니다.

또한 두 회사는 이 공정 기술이 매우 유연성 있는 다음과 같은 채택 방법을 제공해 준다고 발표 했다.

  • 모든 트랜지스터에 DDC 기술을 적용해 궁극적으로 전력과 성능의 이득을 실현하게 해 주는 “DDC PowerShrinkTM 저전력 플래트폼” 옵션
  • 기존 설계 데이타 베이스에 일부분의 트랜지스터를 DDC 트랜지스터로 교환 하는 “DDC DesignBoost 트랜지스터 교환” 옵션. 이옵션의 전형적인 응용은 누설전류를 줄이기 위해 누설 전류가 많은 기존의 트랜지스터를 DDC 트랜지스터로 교환 하거나 SRAM bitcell 트랜지스터를 DDC 트랜지스터로 교환 하여 SRAM 성능을 개선 시키고 최소 동작 전원전압 (Vmin) 을 낮추게 함

UMC의 선진기술 개발 디비젼 담당인 T.R. Yew 부사장은 “다음 몇 주 혹은 몇 달에 걸쳐 UMC 의 28nm HKMG 공정에 DDC 기술의 전력 감소 및 성능 개선 효과를 검증 시켜 주는 희망적인 결과가 수볼타와의 공동 기술 개발에서 나올 것을 예상하고 있다” 며 “수볼타의 선진 기술을 우리 HKMG 공정에 적용 함으로써 기존 UMC 의 Poly-SiON 과 HKMG 기술을 보완하기 위한 28nm 모바일 컴퓨팅 공정 플래트폼을 개발 하고자 한다” 고 말했다.

수볼타의 사장 겸 대표이사인 브루스 맥윌리엄스 박사는 “UMC와 수볼타 팀은 DDC 기술을 UMC 의 28nm HKMG 공정에 포함시키기 위해 그동안 상당한 개발 진척을 이루어 왔다. 우리는 UMC고객의 설계를 쉽게 포팅하기위한 공정을 공동으로 개발하고 있다” 며 “또한 수볼타는 업계에 비싸고 기술적으로 도전적인 공정 기술에 대비해 대신 선택할 수 있는 옵션을 제공 함으로써 모바일 디바이스의 미래 세대을 발전 시키는데 기여 하고 있다”라고 말했다.

UMC 소개
UMC는 IC 업계의 모든 주요 분야에 걸친 다양한 애플리케이션을 위한 선진 기술과 제조 공정을 제공하는 선두적인 글로벌 반도체 파운드리 이다. UMC의 탄탄한 파운드리 솔루션은 28nm poly-SiON, 게이트 라스트High-K/Metal-gate 기술, Mixed signal / RF CMOS, 그리고 광범위한 특수 기술 등을 포함한 최첨단 공정들을 칩 설계자들이 유용하게 이용할 수 있게 해 준다. 영산제품은 두개의 300mm 팹 (대만의 Fab 12A 와 싱가포르 기반의 Fab 12i) 을 포함한10개의 웨이퍼 제조 설비를 이용해 지원 된다. Fab 12A 는 28nm 까지의 고객 제품에 대한 양산을 지원 하는 Phase 1-4 로 이루어져 있고, 현재 Phase 5&6 에 대한 건설이 진행 되고 있으며, Phase 7&8 에 대한 미래 계획도 가지고 있다. UMC는 전세계적으로 15,000 이상의 직원을 고용하고 있으며 대만, 중국본토, 유럽, 일본, 한국, 싱가포르, 미국에 사무실을 두고 있다. 보다 자세한 정보는 www.umc.com에서 확인할 수 있다.

수볼타 소개
수볼타(SuVolta, Inc.)는 저전력 고성능 IC칩 개발에 필요한 스케일이 가능한 반도체 기술을 개발하고 라이선스한다. 수볼타는 실리콘밸리에 본사를 두고 있으며, 세계 유수의 엔지니어 및 과학자들과 함께 반도체 산업의 발전에 기여하고 있는 오랜 기술 개발의 역사와 혁신을 자랑한다. 수볼타는 대표적인 벤처 캐피털 기업인 KPCB (Kleiner Perkins Caufield & Byers), August Capital, NEA, Bright Capital, Northgate Capital 및 DAG 벤처로부터 자금을 지원받고 있다. 보다 자세한 정보는 www.suvolta.com에서 확인할 수 있다

수볼타 기술 정보: http://www.suvolta.com/technology-overview/  
수볼타 기술의 라이선싱 관련 정보: http://www.suvolta.com/sales-inquiry/
수볼타 트위터: http://twitter.com/SuVoltaInc


 

 

UMC
Richard Yu
(886) 2-2658-9168 내선 번호 16951
richard_yu@umc.com

수볼타
Margo Westfall
+1 (408) 429 6058
mwestfall@suvolta.com

호프만 에이전시
Steve Jursa
+1 (408) 975 3029
sjursa@hoffman.com

   

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