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UMC, Faraday 의 실리콘 검증 IP 55nm eFlash 플랫폼을 확장하다

HVT 핵심 장치로 Faraday IP가 최대 65%까지 전력 감소 전력에 민감한 시장 애플리케이션을 목표로 함

 

대만 신주, 2015년 3월 12일 -- 선도적인 팹리스 ASIC/SoC 및 IP 공급업체인 Faraday Technology Corporation(TAIEX: 3035)과 반도체 파운드리 분야의 세계적인 선두 기업인 United Microelectronics Corporation(NYSE: UMC, TWSE: 2303)은 오늘 UMC의 55nm 저전력(LP) 임베디드 플래시 프로세스용으로 개발되어 전력 소모량이 낮은 기초 IP 제품군을 출시한다고 발표했습니다. 이러한 IP는 IoT(사물 인터넷) 및 웨어러블 제품을 비롯하여 광범위한 애플리케이션의 수요를 만족시키기 위해 저전력 및 고밀도 요구사항을 동시에 충족하도록 설계하였습니다.

저전력은 배터리 수명을 늘리기 위해 상시 접속 장치에 우선적으로 사용됩니다. 요구사항을 충족하기 위해 Faraday의 메모리 컴파일러는 저누설 메모리 주변장치를 최적화하여 절전 대기모드에서 전력 소모량을 최대 70%까지 현저히 줄였습니다. 견고한 I/O 셀은 특히 5.0V 인터페이스와 호환되는 고전압 I/O 셀 옵션을 사용할 수 있는 디지털 및 아날로그 인터페이스로 이용할 수 있습니다. 이러한 IO 셀은 전력 누설을 줄이는 HVT 핵심 장치를 사용하여 설계하였습니다. 게다가 IP 제품군은 유휴모드에서 기존 USB 2.0 OTG PHY를 뛰어넘어 최대 65%까지 전력 소모량을 대폭 줄여주는 HVT 핵심 장치의 새로운 저전력 USB 2.0 OTG PHY를 포함합니다.

Faraday Technology의 마케팅 담당 부사장 겸 대변인인 Jensen Yen은 “Faraday는 0.18um부터 0.11um에 이르기까지, 그리고 현재 55nm eFlash에서 전력에 민감한 애플리케이션의 견고한 플랫폼 솔루션을 만들기 위해 UMC와 긴밀히 협업해왔습니다”라고 말합니다. “우리의 IP 전문성과 UMC 프로세스에서의 탁월한 친숙함은 성장하는 IoT 시장에 부응하여 전력 소모량을 대폭 줄여주는 UMC의 HVT 핵심 장치로서 이러한 새로운 IP를 출시하도록 이끌었습니다. 이 중요한 획기적 계기와 UMC와의 지속적인 협력을 통해 우리의 공동 고객이 IoT 시장에서 곧 새로운 사업 기회를 잡을 수 있을 것이라고 자신합니다.”

“UMC는 IoT 칩 설계자들에게 저전력 혜택을 더 많이 제공하기 위해 강력한 IP 포트폴리오를 계속해서 넓혀 나갑니다.” IP 개발 및 설계 지원 부서 수석 책임자인 Shin Chin Lin의 말입니다. “우리의 55nmLP SST 임베디드 플래시 기술은 강력한 IP 및 설계 리소스로 지원되는 대량 생산 과정에서 널리 채택되어 왔습니다. 고객이 전력에 민감한 애플리케이션에 대한 기회를 넓힐 수 있도록 Faraday의 IP를 55nm 플랫폼 리소스의 한 부분으로 추가하게 되어 기쁩니다. 앞으로 미래의 IP 솔루션을 제공하기 위해 지속적으로 협력하기를 기대합니다.”

55nmLP SST 임베디드 플래시 프로세스에 채택되는 Faraday의 전체 IP에는 표준 셀 라이브러리, 메모리 컴파일러, 분산 프로그램식 ROM, Via ROM, I/O 셀 및 저전력 USB 2.0 OTG PHY가 포함됩니다. 3-시리즈 셀 라이브러리, 7-트랙 miniLib™, 8-트랙 제네릭 라이브러리 및 12-트랙 UHS-Lib™은 모두 PSK 셀 및 multi-Vt 옵션의 저전력 관리 기능을 갖추고 있습니다.


 

 

UMC
Richard Yu
(886) 2-2658-9168 내선 번호 16951
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