프로세스 기술

28-나노미터

가치 및 성능 주도적28nm기술

UMC의 28nm 프로세스 기술은 전자 이동 성능을 향상시키기 위해 새로운 응력 기술 (SMT, t-CESL, c-CESL) 및 내장 된 SIGe를 사용하여, 높은 성능과 낮은 전력 소모를 요구하는 애플리케이션용으로 개발되고 있습니다. 이미 28HLP SiON 및 28HPM/HPC High-K-메탈 게이트 프로세스 기술을 채택한 여러 고객사의 제품에 대한 대량 생산에 사용하고 있습니다. UMC는 현재 높은 고객의 수요를 충족시키기 위해 적극적으로 28nm 용량을 추가하고 있습니다.

특장점

UMC의 28nm 고성능 저전력(HLP) 프로세스는 손쉬운 설계 채택, 빠른 출시 기간, 아주 알맞은 성능/비용 비율 덕분에 40nm에서 자연스러운 마이그레이션이 가능합니다. UMC의 28nm 고성능 모바일(HPM/HPC) High-K/메탈 게이트 프로세스는 업계 주류인 Gate-Last 접근방식을 사용합니다.

28HLP - 강화된 SiON 활용

특정 애플리케이션에 대해 더 빠른 속도를 요구하는 고객을 위해 획기적으로 성능을 개선하고 전력 소비량을 낮춘 가장 경제적인 SiON 솔루션입니다. 다른 28nm SiON 업계 제품에 비해 10% 속도가 향상됩니다.

28HPM/HPC - High-K/메탈 게이트 스택 활용

UMC는 28nm High-K/메탈 게이트 스택 (28HPM/HPC) 기술은 휴대폰 베이스밴드, WLAN, 태블릿, FPGA 및 네트워킹 IC와 같은 광범위한 제품을 대상으로 유연성과 성능 요건을 향상시키기 위한 폭넓은 기기 옵션을 지원하는 초고성능의 최저 누설 솔루션입니다. High-K/메탈 게이트 스택과 및 장치 전압, 메모리 비트셀, 언더 드라이브/오버 드라이브 기능을 위한 옵션이 풍부하여 SoC 설계자들이 기록 성능을 높이고 배터리 수명을 연장하는 데 도움이 됩니다.

적용 분야

UMC의 풍부한 28nm 기술 플랫폼과 듀얼 프로세스 접근을 통해 모든 주요 시장 애플리케이션의 엄격한 요건을 충족시킵니다.

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