프로세스 기술

Advanced Technologies

40-나노미터

UMC는 45/40nm 기술을 제공하는 파운드리 선도업체로서 2008년부터 이 같은 고급 프로세스 노드의 고객 제품을 제공했습니다. 현재는 수많은 고객들이 40nm 제품을 UMC에서 생산하고 있습니다. 저전력(LP) 및 고성능(40G) 플랫폼을 모두 제공하는 UMC의 40nm 공정은 다양한 설계 애플리케이션 요구를 대응하는 데 적합합니다. 40nm 로직 프로세스는 최대 전력 및 성능 최적화를 위해 최첨단 액침 노광, 다양한 이동성 개선 기법, 초미세 접합 및 ultra low-k(ULK) dielectric을 활용합니다.

UMC의 40nm 기술은 유연한 기술 설계 플랫폼으로 시작됩니다. 고객은 고성능 및 저전력 트랜지스터와 같이 특수 애플리케이션에 최적화된 프로세스 장치 옵션을 선택할 수 있습니다.

55-나노미터

UMC의 55nm 표준 성능 프로세스(55SP)는 65nm 노드(65SP)에서 90% 축소된 것으로, 이와 비슷하거나 더 낮은 전력으로 동일한 성능을 유지하면서 고객에게 더 작은 다이 사이즈를 제공합니다. 이 표준 성능 플랫폼(55SP) 이외에 업계 표준 프로세스와 호환 가능한 저전력 플랫폼(55LP) 옵션도 제공하고 있습니다. 이들 플랫폼 모두 고객 디자인-인을 위한 준비가 되어 있습니다.

65-나노미터

UMC는 65nm 프로세스 기술 분야의 파운드리 선도업체로서 2005년 6월, 파운드리 업계 최초로 65nm의 고객 제품을 선보였습니다. UMC의 65nm 기술은 고성능(65SP) 및 저전력(65LL/65LP) 요건을 지원합니다.

UMC의 65-나노미터 SoC 솔루션은 유연한 기술 설계 플랫폼을 기반으로 합니다. 고객은 표준 성능(SP), 저누설(LL) 또는 저전력(LP) 트랜지스터와 같이 특수 애플리케이션에 최적화된 프로세스 장치 옵션을 선택할 수 있습니다. 설계자는 UMC 65nm SP프로세스의 고성능 특징을 통해 소비자 제품에서 그래픽 IC에 이르기까지 광범위한 애플리케이션에 기술을 활용할 수 있습니다. 혼합 신호/RFCMOS 및 임베디드 메모리(1T-RAM URAMTM 옵션, 0.12um2)를 비롯한 기술 옵션을 구현해 프로세스를 한층 더 고객 맞춤화할 수 있습니다.

90-나노미터

UMC는 2003년 3월 이후부터 90-나노미터(0.09um) 로직 프로세스에 기반한 고객 제품을 출하하고 있으며 현재 수많은 고객의 90nm 제품을 대량 생산 중에 있습니다.

UMC는 90nm 제조에 low-k 또는 FSG를 제공해 고객들에게 특정 제품 애플리케이션에 가장 적합한 유전체를 선택할 수 있는 유연성을 제공합니다. UMC의 90nm 기술은 성능, 밀도, 전력 효율성을 요구하는 기업에게 유용할 것입니다.

Device Offerings
40LP
55LP
55SP
65LP
65LL
65SP
90LL
90SP
90G
Vdd (V)
1.1
1.2
1
1.2
1.2
1
1.2
1
1
Core Vt
Ultra Low
V
Low
V
V
V
V
V
V
V
V
Regular
V
V
V
V
V
V
V
V
V
High
V
V
V
V
V
V
V
V
V
Super High
V
V
IO
1.8V
V
V
V
V
V
V
V
2.5UD1.8V
V
V
V
V
V
2.5V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
2.5OD3.3V
V
V
V
V
V
V
3.3V
V
V
V
V
V
SRAM
Ultra High Density
0.499
High Density
0.242
0.425
0.425
0.525
0.525
0.99
0.99
0.99
High Current
0.303
 
0.502
   
0.62
1.16
1.16
1.16
Dual Port
0.477
0.789
0.938
0.974
0.974
1.158
2.08
2.08
2.08

 

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