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联华电子和美商Kilopass携手,进行先进制程28奈米硅智财合作

联华电子Poly SiON和High-K/Metal Gate制程平台将提供Kilopass非挥发性内存硅智财

 

联华电子与半导体逻辑非挥发性内存(NVM)硅智财领导厂商Kilopass今日(28日)共同宣布,双方已签署技术开发协议,Kilopass非挥发性内存硅智财将于联华电子两个28奈米先进制程平台上使用,分别为:适用于生产可携式装置产品系统单芯片的高介电质金属闸(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消费性电子产品系统单芯片设计公司青睐的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。

联华电子28奈米制程的芯片闸极密度为40奈米制程的两倍。具成本效益的28HLP多晶硅(Poly/ SiON) 制程,与业界其它28奈米多晶硅(Poly /SiON) 制程相比,具备了更优异的效能及功耗上的提升。为配合系统单芯片设计公司不同的电源需求,此制程提供了多个电压选项:1.8V,2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介电质金属闸(High-k/Metal Gate)制程,则提供了临界电压选项、内存储存单元和降频/超频功能,有助于系统单芯片设计公司大幅提高产品整体效能和电池续航力。

联华电子客户工程暨硅智财研发设计支持副总简山杰表示:「联华电子不断致力于先进技术开发和及时的产能导入,以充分满足客户的需求。为了确保我们客户在28奈米制程上,不仅可以采用联华电子eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的硅智财,也能获取最佳第三方厂商之非挥发性内存硅智财,联华电子十分乐意与Kilopass公司持续合作,以确保其多元化的反熔丝非挥发性内存(anti-fuse NVM)硅智财产品,能够在我们28奈米制程平台上提供给客户采用。」

Kilopass公司董事长暨执行长Charlie Cheng表示:「对于Kilopass与联华电子进行中的策略合作,我们感到非常高兴。在联华电子28奈米先进制程平台上使用我们非挥发性内存(NVM) 硅智财产品,为两家公司创造了双赢。对于联华电子来说,将可在其先进制程平台上,为客户提供更广泛的硅智财产品组合;对于Kilopass而言,则可将业务范围拓展到联华电子28奈米制程市占率日益提升的行动设备与消费性电子系统单芯片之产品市场。」

关于双方合作关系 Kilopass公司与联华电子的合作关系开始于2010年的联华电子40LP制程,现已完成推出。随着客户对其它制程需求的增加,两家公司决定进一步于130/110/55nm制程平台上提供反熔丝嵌入式非挥发性内存(anti-fuse embedded NVM),也已在2012年完成。此次的新协议案,则将双方伙伴关系扩展到28奈米制程平台。


 

 

媒体联络人:
金百佳 (Judy Jin)
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