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力旺电子与联华电子扩大技术合作,布建多元解决方案于28奈米先进制程

 

全方位之嵌入式非挥发性内存硅智财供货商力旺电子与世界一流的晶圆专工公司联华电子今日(10日)共同宣布,双方扩大技术合作,将力旺电子独特开发之OTP (One-Time-Programmable embedded non-volatile memory ,单次可程序嵌入式非挥发性内存) 及MTP (Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory, 多次可程序嵌入式非挥发性内存) 技术广泛布建于联华电子0.18微米至28奈米世代之制程平台,布建范围横跨成熟与先进制程,不仅可提供客户全方位之嵌入式非挥发性内存解决方案,并展现联华电子掌握尖端制程优势,积极扩展eNVM全方位技术版图之决心。

联华电子与力旺电子自2006年开始展开了长期的合作,联华电子将力旺电子单次可程序嵌入式非挥发性内存技术成功布建于其0.18微米以下之制程平台,至今已创造许多佳绩。力旺电子之eNVM技术应用相当广泛,涵盖智能型手机与平板计算机之电源管理芯片、高阶液晶显示器驱动芯片、触控面板控制芯片、电源计量芯片、传感器控制芯片、音讯编译码芯片与近场无线通讯芯片等各项主流消费性电子产品领域。此次扩展合作范围,联华电子除扩增采用力旺电子之OTP技术,更扩大导入MTP技术领域,将能以更完整之嵌入式非挥发性内存制程平台,强化技术服务支持广度,满足更多不同客户需求。搭配联华电子在先进制程的布局,亦已为力旺电子在28、40奈米之制程平台保留了绝佳的参与位置与发展舞台。

力旺电子近年来致力于全方位的可程序嵌入式非挥发性内存之技术开发,目前产品线包括NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash、NeoEE等系列性技术与硅智财,为业界少见能够于OTP及MTP嵌入式非挥发性内存技术领域,提供全方位完整布局之硅智财厂商。力旺电子MTP技术可适用各种不同产品应用,针对写入次数小于10次之应用;中低容量,高写入次数之应用;中高容量,高写入次数之应用或多次可程序嵌入式非挥发性内存技术之应用等,力旺电子均能搭配各种应用之需求提供最适合之解决方案。且不论NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash或者是NeoEE等技术,均保有与逻辑制程高度兼容之特性,制程简单,易于延伸至各制程世代之特性,是晶圆代工厂有效快速布建eNVM制程平台之最佳合作伙伴。

针对此技术研发与授权协议,联华电子负责硅智财与设计支持的简山杰副总表示:「联华电子很高兴扩展了与力旺电子自2006年以来的长期伙伴关系。联华电子乐见力旺电子的OTP与MTP技术加入28奈米制程平台,并且进一步提供许多特殊制程选择给我们的客户采用。借着为不同需求的客户,提供更好更有竞争力的eNVM技术,我们可同时提升客户现在与未来产品世代的系统单芯片设计之竞争实力。」

力旺电子总经理沈士杰博士表示:「我们很高兴能与长期重要策略合作伙伴联华电子加深合作关系,秉持embedded wisely, embedded widely的核心精神,将公司核心技术全方位导入联华电子之各项制程平台,整合双方之专业分工与研发能量,提供IC设计客户性能卓越且质量可靠之嵌入式非挥发性内存平台,协助客户持续掌握市场契机。」

展望未来,力旺电子与联华电子的合作将能强化彼此竞争优势,以更多元的嵌入式非挥发性内存技术以及高效能之制程平台,扩展各制程世代应用领域的广度与深度,配合客户不同产品应用与容量的设计需求,提供更完整且全方位的嵌入式非挥发性内存技术与生产服务,达成硅智财供货商、晶圆代工厂以及客户三赢的目标。


 

 

媒体联络人:
金百佳 (Judy Jin)
(02)2658 9168 ext. 16902
judy_jin@umc.com

 


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