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联华电子14奈米FinFET制程采用新思科技DesignWare IP与StarRC寄生参数提取工具,进行制程验证工具设计定案

 

重点摘录:

  • 这次合作的第一个里程碑,可加速联华电子14奈米FinFET制程硅智财与相关设计的认证。
  • 制程验证工具认证了关键制程和硅智财测试结构。
  • 有助于促进联华电子FinFET制程,获得更快速及更高电源效能的系统单芯片采用。

联华电子与全球半导体设计制造提供软件、IP与服务的领导厂商新思科技(Synopsys),今日(26日)共同宣布,两家公司的合作已获得成果。采用新思科技DesignWare®逻辑库的IP组合及 GalaxyTM实作平台的一部分-寄生StarRCTM萃取方案,成功完成了联华电子第一个14奈米FinFET制程验证工具的设计定案。

由于FinFET制程所具备的效能、功耗、芯片内变异性以及比平面CMOS制程较低的数据保留电压等优势,引起了芯片设计公司高度的兴趣。此制程验证工具将提供初期的数据,让联华电子得以调整其14奈米FinFET制程,并且优化Synopsys的DesignWare IP产品组合,藉以得到最佳化的功耗、性能和面积。它同时也提供了数据,让FinFET仿真模型与硅制程结果有更好的关联性。在双方持续发展中的合作关系上,采用新思科技DesignWare硅智财解决方案来认证联华电子14奈米FinFET制程,可视为是双方此次合作的第一座里程碑。

"此次设计定案的成功,是联华电子技术上的重要里程碑,” 联华电子市场营销副总郭天全表示,“联华电子的目标是提供客户高竞争力的FinFET技术解决方案,将可协助客户产品一直走在技术尖端。我们选择了新思科技作为此次重要合作的伙伴,原因在于他们在FinFET领域的经验与专业,以及在先进制程开发优质DesignWare硅智财的杰出纪录。此次合作的成果将可大大嘉惠设计公司,为其带来功耗、效能及成本上的好处。"

新思科技硅智财与系统营销副总John Koeter表示,"新思科技一直引领业界,致力于开发FinFET技术的硅智财与工具,我们与联华电子的合作,充分展现了双方共同的坚定承诺,开发通过验证之硅智财与工具,藉此降低设计公司在整合上的风险,并且加速其产品的量产时程。"


 

 

媒体联络人:
金百佳 (Judy Jin)
(02)2658 9168 ext. 16902
judy_jin@umc.com

 


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