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智原发表完整硅智财,扩展联华电子55纳米eFlash制程平台解决方案

采高临界电压核心组件设计,降低65%以上功耗,高度满足低功耗导向的应用市场需求

 

联华电子与ASIC设计服务领导厂商智原科技今日(12日)共同发表,在联电55纳米低功耗嵌入式闪存(embedded flash, eFlash)制程的基础硅智财组件库(cell library)、内存编译程序(memory compiler),以及关键接口IP等。这套完整的55纳米eFlash解决方案可同时满足市场对低功耗与高密度的设计需求,尤其适用于各种物联网(IoT, Internet of Things)与穿戴装置(wearable devices)等应用。

对于需要长时间待机的电子装置,为了延长电池续航力,低功耗的设计是首要门坎。为了满足这样的需求,智原透过低漏电内存周边的优化设计,将内存编译程序的功耗大幅降低,甚至在待机模式(stand-by mode)时,降低幅度达70%以上。功能强大的I/O组件库在数字与模拟接口都有提供,并有一套与5.0伏特接口兼容的高压I/O组件库可供选择。这些IO组件库都是采用联电高临界电压HVT(high threshold voltage)的核心组件所设计完成, 以达到降低漏电的功能。除了基础IP之外,智原也开发完成了一些关键接口IP,包含采HVT设计的低功耗USB 2.0 OTG PHY,在闲置状态(idle mode)下,相较于传统方法所设计出的OTG PHY,大幅降低了65%的功耗。

智原科技市场处处长暨发言人颜昌盛表示:「针对低功耗的应用产品,智原从0.18微米、0.11微米、到现在的55纳米eFlash制程,与联电始终保持非常密切的合作关系,以建构强大的解决方案平台,提供客户采用。智原奠基于长期以来所累积的IP开发实力以及对联电制程的熟悉度,所以这次得以推出大幅降低功耗的硅智财。而随着这项重大里程碑的达成,以及智原与联电的持续合作,相信双方的客户都将能在最短的时间内,攫取物联网市场的新兴商机。」

联华电子硅智财研发暨设计支持资深处长林世钦表示:「联华电子持续致力于扩大我们在IP数据库上的建构,以带给物联网芯片设计人员更满意的低功耗效益。我们的55纳米低功耗SST eFlash技术是一个已经被广泛采用、有强大IP与设计资源投入、可供量产的制程。很高兴能有智原加入联电55纳米制程平台的解决方案,协助客户进一步扩展功耗导向的应用市场商机。联华电子期待能和智原有更进一步的合作,以满足未来需求。」

智原的完整55纳米低功耗SST eFlash IP包含有标准组件库、内存编译程序、可编程 diffusion ROM、Via ROM、IO组件以及低功耗USB 2.0 OTG PHY等。而因应不同需求,有包含7轨的miniLib™、8轨的通用型组件库,以及12轨的UHS-Lib™ 可供选择。同时,全系列也都搭载了PowerSlash、多种电压Vt组件等低功耗管理机制所需的组件库。


 

 

媒体联络人:
金百佳 (Judy Jin)
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