新闻中心

新 闻 室

针对低耗能应用,ARM和联华电子推出全新55纳米ULP实体IP解决方案

 

全球IP硅智财授权领导厂商ARM®与全球晶圆专工大厂联华电子今(18)宣布ARM® Artisan®实体IP解决方案的新进展,加速以ARM处理器为核心的嵌入式系统和物联网相关应用蓬勃发展。

联华电子的55纳米超低功耗制程(55ULP)技术已成为低耗能物联网应用的最佳解决方案。新推出的实体IP产品将有助于芯片设计团队,加速并简化为物联网和其它嵌入式系统开发ARM系统单芯片(SoC)。

对许多讲求低耗电的应用而言,尽可能最大化电池使用寿命是成功设计的关键。Artisan®实体IP平台将强化联华电子的ULP技术,最大化电源效率和降低漏电功耗。主要功能如支持厚闸极氧化层(thick gate oxide)和多信道长组件库,让SoC工程师能运用各种工具实现物联网应用的优化设计。

ARM实体IP设计事业部总经理Will Abbey指出:「完整的实体IP基础平台对联电55ULP制程实现物联网应用低功耗和低成本设计至关重要。针对低功耗所需的优化组件库,ARM和联电提供SoC工程师一套完善的全新开发工具。」

联华电子硅智财研发暨设计支持处资深处长林世钦表示:「物联网芯片工程师经常被要求以更快的速度,设计出更省电的高度整合解决方案。联华电子拥有晶圆专工产业最强大的物联网专用55纳米技术平台,全面且完整的IP资源可以满足物联网产品永远联机且超低耗电的要求。联电55ULP平台纳入Artisan实体IP之后,可立即增加工具选项,有助于降低设计复杂度和加速上市时程。」


Artisan组件库将支持:

• 0.9v 超低电压范围,和1.2v电压范围操作相比,最高可节省44%动态电力和25%漏电功耗
• 多信道组件库提供各种临界电压(Vt)选项,可让SoC工程师在漏电功耗和效能之间有多种组合选择。长信道组件库可进一步降低高达80%的漏电。电源管理工具组(PMK)可减少动态电力和漏电的损失。
• 创新的厚闸极氧化层组件库可大幅降低不断电组件(always ON cells)的漏电值(比一般标准电路低350倍)。此组件库可与较高电压(包括物联网装置使用的电池电压)连接,因此还具备了免装电压调节器的优势。
• 次世代高密度内存编译程序提供多重电力整合模式,在极小化待机漏电功耗时保留存储状态。运用这些模式,SoC工程师可比一般待机减少高达95%的漏电。

联华电子 55ULP 实体 IP 即日起于 ARM DesignStart 网站供货。


 

 

媒体联络人:
金百佳 (Judy Jin)
(02)2658 9168 ext. 16902
judy_jin@umc.com

 

   

Back to Top

A+ A-
Leadership
关于 UMC
股东专栏
企业永续
新闻中心
人力资源
Popular Links